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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › IC验证 › IC验证讨论 › 流片出来的SDRAM各别位出错.但BIST能通过
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楼主: creese

[求助] 流片出来的SDRAM各别位出错.但BIST能通过

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creese
 楼主| 发表于 2011-9-26 20:52:43 | 显示全部楼层
与foundry联系一下，它们承认是工艺上的原因，但是没法在CP时挑出来。
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y3rike
发表于 2014-5-22 13:58:26 | 显示全部楼层
bist 也能整出妖蛾子
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发表于 2014-6-4 00:31:10 | 显示全部楼层
dedicated cell macros !?!?
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