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EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
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[求助] 请教LDO的版图画法

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发表于 2010-7-29 08:57:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

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根据dropout和负载的要求算出的尺寸大致一画,发现是电流密度不符合要求。书中说1um金属走1mA电流,可是现在300mA电流的功率管大概只有200*200um,而且还是网状的严格算起来比200还小。
我想到的方法:(1)管子再画稀疏点,使整个管子达到300um的宽度(2)增加金属层数降低金属上的电流密度
觉得后一种方法可以节省面积,现在就用后一种方发暂时画着了。请教一下这两种方法有什么优缺点阿?或者还有什么更好的解决方法?
发表于 2010-7-30 11:29:15 | 显示全部楼层
不用严格按照datasheet中的电流密度来做,一般工艺线给的current density主要是考虑electron migration, 留的余地是足够大了,实际的layout都会抠一些比如300mA做到150um。
发表于 2010-8-13 15:42:31 | 显示全部楼层


根据dropout和负载的要求算出的尺寸大致一画,发现是电流密度不符合要求。书中说1um金属走1mA电流,可是现在300mA电流的功率管大概只有200*200um,而且还是网状的严格算起来比200还小。
我想到的方法:(1)管子再画 ...
chaojixin 发表于 2010-7-29 08:57


前一种方法增加了Die size,后一种画法增加了一层Mask,也增加了一道金属工序。我想这个需要你的产品工程师来帮你解决了,说不上那种好。我觉得如果你选择第一种方法,不用把管子做稀疏,完全可以把管子做的多一些,即降低了Dropout,也解决了电流密度的问题,起码增加的成本不会浪费。
发表于 2010-8-13 15:44:29 | 显示全部楼层


不用严格按照datasheet中的电流密度来做,一般工艺线给的current density主要是考虑electron migration, 留的余地是足够大了,实际的layout都会抠一些比如300mA做到150um。
magicdog 发表于 2010-7-30 11:29


那也要看哪家封装厂,像T什么的,如同你所说了。
发表于 2011-9-9 10:51:27 | 显示全部楼层
比较实际的问题,通常倾向后一种方法。
发表于 2011-9-24 21:14:45 | 显示全部楼层
都是比较实用的方法,工程上比较喜欢用增加m值的方法;学术研讨MPW后一种更好些,原则都是节省cost
发表于 2020-10-13 23:56:36 | 显示全部楼层
可以把1排power mos画成2排,这样就多一条金属通道了  金属宽度变成原先的2倍
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