codewarrior中添加使用flash algorithm烧写flash

yihang1207

有人在CodeWarrior8.8 for Power Architecture(TM)8.8 添加Flash 烧写的算法么？

用过CodeWarrior自带的添加flash Algorithm的AMD16x1的例子么？ 我基本没改其中的代码，因为跟我的flash datasheet上一样。 amd 16bitx1 。参考文档有AN3630:<<Creating a Flash Algorithm for an Unsupported Flash Memory Device>>

为什么我编译出来的ELF文件会比本身自带的一些flash algorithm的.elf文件要大10倍左右，大罢了还不成功，求助。

擦写显示成功，但是实际不成功（这是必然，因为返回代码无论怎样都是0），擦写过程中出现以下错误

======================================================================
=== Execute: Program
=== Timestamp: Mon Jun 22 22:09:20 2009
=== Flash Device: S29GL064A90TIR33_XXXX
=== Flash Organization: 4Mx16x1
=== Flash Mem Start Addr: 0xFE000000
=== Flash Mem End Addr: 0xFE7FFFFF
======================================================================
Informing other connection clients that the target is being 'clobbered'.
Loading Flash Device Driver at: 0x00000000
Flash Driver Buffer is at: 0x00011C10
Flash Driver Buffer Size is: 0x000F43F0
Done
Initialization Command Succeeded
Trying auto-detect...
File is NOT of type Motorola S-Record Format.
File is NOT of type Elf Format.
Auto-detection is successful.
File is of type Binary/Raw Format.
Programming 0x00010000 bytes of Target Memory at 0xFE000000
Flash Programmer: Flash driver reports the following error(s): The flash device algorithm was interrupted during execution. Please check if the flash base address is correct or if there are any flash devices mapped inside the selected memory space. If a custom target initialization file was used then check the following parameters: flash base address, flash bank size and flash bank port size. Please enable Verify Target Memory Writes in Target Configuration to check that the algorithm downloads correctly. If you are downloading the algorithm to DDR try checking your DDR configuration.
Timestamp: Mon Jun 22 22:09:23 2009

liningustb

回复 1# yihang1207


      您好，我现在也遇到同样的问题：Programming 0x00020000 bytes of Target Memory at 0xFC000000
Flash Programmer:  Flash driver reports the following error(s): The flash device algorithm was interrupted during execution. Please check if the flash base address is correct or if there are any flash devices mapped inside the selected memory space. If a custom target initialization file was used then check the following parameters: flash base address, flash bank size and flash bank port size. Please enable Verify Target Memory Writes in Target Configuration to check that the algorithm downloads correctly. If you are downloading the algorithm to DDR try checking your DDR configuration.
     请问您是如何解决的？谢谢您。
     liningustb@sina.com

bitliu1983

124extern inline void out_le32(volatile unsigned __iomem *addr, int val)
125{
126        __asm__ __volatile__("sync; stwbrx %1,0,%2" : "=m" (*addr) :
127                             "r" (val), "r" (addr));
128}
和这个是配对的吧，一目了然
  93{

lie

我们有成熟产品，有不少大公司是我们的客户。
不需要任何内存 时钟的初始化，基本只要有连线就可以，哪怕顺序有错。因此，可以非常顺利的完成Flash的烧写。

详细说明如下：

产品特点：

• 不需要使用带插座的Flash，提高可靠性；
• 不需要借助仿真器、调试器，不需要原厂软件，大大降低成本、提供生产灵活性；
• 轻量级绿色软件；
• 与CPU架构无关，支持PowerPC/ARM/MIPS等架构的CPU及CPLD/FPGA或者其他SoC；
• 使用CPU的JTAG接口，无需增加任何额外电路；
• 不需要CPU任何启动代码即可完成烧写；不需要配置CPU内部寄存器、初始化时钟内存等步骤；
• 即使CPU死机或者因Flash数据损坏导致板卡不能启动时，同样可以回读Flash内容，为维修调试提供依据；
• 使用WH-USB-JTAG电缆，加载Flash速度是并口电缆10倍左右。使用WH-USB-HiJTAG电缆，加载速度最快是WH-USB-JTAG电缆的5倍左右。
  

功能：


   

• 支持numonyx, Spansion, Intel, AMD, ST, SST, EON,等厂家的并行NOR Flash，且提供后续新Flash型号的全程支持；
• 对Flash读写、编程操作；
• 支持块操作（擦除、加锁、解锁）；
• 除了Flash相关功能以外，还可以通过点灯等操作验证JTAG器件的基本功能；
• 可以读写其他芯片：通过程序可以读写与JTAG器件(通常是CPU)相连的其他芯片(如CPLD, ASIC等)，这样在CPU没有跑起来或没有软件的情况下甚至都可以去对单板做一些调试，从而提高效率，缩短开发周期；
  

详见

http://www.zhefar.com/services-ee.htm#JTAG_Flash
http://shop35795558.taobao.com/