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【求救】:PAD 次顶层金属与顶层金属之间连接问题

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发表于 2008-10-28 21:16:12 | 显示全部楼层 |阅读模式

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PAD 次顶层金属与顶层金属之间问题
A:他们之间的连接的孔的个数怎么确定?

我是这样理解:
一般CMOS工艺的VIA,都可满足1mA/via 且 1 ohm/via
那么只要输出时候,VIA的寄生电阻满足驱动能力,就可以了;
因为这里的寄生电阻越大,那么相当于人体模型中的等效电阻会更大;
有利于ESD

至于VIA的数量;因为CMOS工艺这里的1mA/via,应该是平均电流;
ESD时,是顺态电流;两者之间的关系;我却不知道怎么确定,量化;

B:他们之间连接的方法怎么选择?
曾经看过某些芯片的连接方法;
用两条平行的VIA群来连接;
一条放在PMOS漏端;
一条放在NMOS漏端;
我也认同这种方法比较好;
但对输入口(这里的保护结构不是用输出驱动管做保护)
那还有必要这么做吗?

[ 本帖最后由 andyjackcao 于 2008-10-28 21:17 编辑 ]
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