MOS 电容用法讨论

大大山 · 发表于 2012-8-12 17:22:28

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当MOS用作电容时，工作在积累区，会引入额外的什么缺点呢。。
欢迎大家讨论。。。

大大山 · 发表于 2012-8-12 21:51:23

本帖最后由大大山于 2012-8-12 23:19 编辑

回复 2# semico_ljj

是可以用在积累区，我们已经tape-out验证。。
只是想知道，在积累区与强反型区，有什么不一样的寄生参数(比如寄生电阻值的差别)。。。

大大山 · 发表于 2012-8-13 11:40:14

回复 5# iamshan

   谢谢你详细的回复.
   从你的回复中,我了解到了: 两种差别主要是高低频的应用差别,和压差与电容大小的函数关系..

   另外想请教, pmos的NWELL电阻一般在什么数量级上(nwell上画了很多contact,是不是电阻会在几十欧姆的量级),会比沟道电阻小很多吗??
   多谢!!

大大山 · 发表于 2012-8-13 11:41:16

回复 6# semico_ljj

多谢!!!!!

大大山 · 发表于 2012-8-14 20:24:42

回复 9# iamshan

查到了，1000欧母左右。。

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[讨论] MOS 电容用法讨论

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