关于tsmc 28nm工艺库中cfmom_wo的疑惑？

晬婴

小弟最近刚接触tsmc 28nm工艺库，发现里面有cfmom_wo器件，含义是FMOM without poly-shielding。可是小弟打开它的layout，发现cfmom_wo的版图的金属层下面有dummy的PO和OD。

问题1：按我的理解有这两个层不就会加上PO和OD的dummy了吗？那这样金属层下面不就有poly了？那怎么还能叫without poly-shielding？

问题2：为什么要在金属层下面加上PO和OD的dummy呢？这有什么用吗？
问题3：既然工艺库提供了FMOM without poly-shielding的cfmom_wo，那为什么不提供FMOM with poly-shielding呢？或者说有poly-shielding的FMOM长什么样子呢？
谢谢大家！

晬婴

   

xdmicro 发表于 2025-10-5 18:23
#在这里快速回复#with poly-shielding means that a large poly connected to VDD/VSS under the mom capac ...

非常感谢您的解答！那既然PO和OD的dummy如果加在mom下面是为了过DRC，那加上PO和OD的dummy难道不会对mom的容值产生影响吗？如果会产生影响，岂不是会破坏原来的设计预期？

晬婴

   

xdmicro 发表于 2025-10-5 23:44
Typically, the absolute capacitance value has a 10% to 20% tolerance due to process variations. Wh ...

非常感谢！