cell的驱动能力如何在layout体现

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版图小白有三个问题，求大神解答。
问题一：cell的驱动能力是如何在layout中体现的？比如如下的两个反相器的layout，一个是INVD0，一个是INVD1。看起来就是有源区多打了孔？增加驱动能力就是通过这种方式吗？别的cell也是如此吗？
问题二：我的库里这些cell只有版图没有原理图，这是为什么？同一个器件，不同驱动能力的版图不一样，那原理图有区别吗？
问题三：有办法能通过cell的版图自动生成其原理图吗？
因为我要自己建库，要画每个cell的版图，希望大神能解答一下，非常感谢！