怎么理解SMIC中mis_ckt的MOS和标准MOS？应使用谁来跑MC？

Sarahlln

之前以为是用mis_ckt的MOS来搭配mos_mc library，跑蒙特卡洛仿真，但是最近在工艺库里看到HSPICE的一个实例，用的标准MOS搭配mc库，mis_ckt搭配标准库，不太确定哪种方法是对的。恳求各位前辈指点。

mc仿真示例

Sarahlln

   

敬山一休 发表于 2022-4-26 08:56
一般先要看工艺文档来确定，mis_ckt是包含了失配模型的所以要用这种管子，但是有些工艺是没有单独做，所以 ...

我看了一下工艺文档，mos_mc下跑n12ll，以vth为例，会给一个高斯函数a，认为阈值浮动-0.036*a。mos_mc下跑mis_ckt的话，就会在-0.036*a后，再增加mis相关的高斯函数。TT下跑n12ll，认为vth浮动为0；TT下跑mis_ckt，只有mis相关的高斯函数，无0.036*a的项。
这些参数和我们切换工艺角跑出来的偏差是不是两回事呢？比如mc下跑2个n12ll，2个n12ll都会有同样的高斯a变化；跑2个mis_ckt，则2个管子不仅每个管子发生同样的高斯a变化，还会彼此之间有失配的差别。这些都是基于共同工艺角的仿真，还是已经考虑了工艺角带来的偏差呢？

Sarahlln

   

敬山一休 发表于 2022-4-26 08:56
一般先要看工艺文档来确定，mis_ckt是包含了失配模型的所以要用这种管子，但是有些工艺是没有单独做，所以 ...

感谢您的指点！

Sarahlln

   

敬山一休 发表于 2022-4-26 14:04
是不一样的，在蒙特卡洛分析中有两种，一种是单纯的mismatch，还有一种是process+mismatch，当然这也是和 ...

非常感谢

Sarahlln

   

西兰花 发表于 2023-2-11 20:34
想来请教一下，
1.所以最后，在smic55的工艺，在仿真MC时候，如果勾选process+mismatch的话，是应该对应在 ...

1.是的

2.版图不影响
3.在model选的.lib文件里，你对应去翻MOS_MC的库是怎么写的，能溯源到函数，函数里就能给出模型是怎么设置，然后这么判断的

Sarahlln

   

西兰花 发表于 2023-2-13 20:37
再请教一下，

您说版图不影响的意思是：版图里面依然用标准管子，pex后仿正常跑corner和蒙卡的意思？

如果想跑后仿，最好直接调入对应misckt的版图，但是MPW角度上没有问题

Sarahlln

   

zju蜗牛 发表于 2024-11-11 15:09
楼主仿smic55工艺的mismatch，是不是比一般工艺要大，我这边仿比较器的offset，发现用smic55工艺搭的比较 ...

我还没对比过不同工艺的offset呢

Sarahlln

   

zju蜗牛 发表于 2024-11-15 15:58
我发现管子增加尺寸 如果增加finger，仿出来的mismatch比增加multiple要大很多
...

啊？我还老爱用finger，觉得比multiple更方便，哭了

Sarahlln

   

西兰花 发表于 2023-2-13 20:37
再请教一下，

您说版图不影响的意思是：版图里面依然用标准管子，pex后仿正常跑corner和蒙卡的意思？

版图不影响的意思是，不影响流片的数据和寄生参数提取，但是后仿里会用到cdl，cdl是基schematic的，最好能改的话，schematic和layout统一