在同一工艺下，PMOS的最小尺寸为什么比NMOS的大点？

sjtusonic · 发表于 2015-7-8 16:28:52

回复 1# 令狐少侠0024

p载流子是空穴，迁移率比n电子小。为了做平衡的cell，p的宽度要比n管大，已达到同样的驱动能力。

sjtusonic · 发表于 2015-7-8 16:30:30

我是从数字电路角度说的，从模拟电路角度呢？

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[求助] 在同一工艺下，PMOS的最小尺寸为什么比NMOS的大点？