【求教】bandgap的设计及调节问题

hustcg

      我用的是Banba结构的bandgap，设计过程：先指定PTAT电流和两个BJT管的发射结面积比N，得到电阻值R3和Q1的发射结电压VBE1；  再按照一阶温度补偿原理确定电阻比例后，得到R1(R2)值和CTAT电流，就可以得到总电流I1（I2）；  进而通过先指定三个PMOS管的过驱动电压估算出宽长比W/L；  为了用自偏置电路，在设计运放时把其输出电压调成事先指定的电流镜栅极电压值。。。       但是，通过直流温度扫描后，发现TC值很大，且呈负温度系数，我看paper里的TC值都可以调到很小的(10ppm/℃以内)：我想通过调节电阻值（增大R1，R2,减小R3），有效果，可这样以后，电阻比例就不是我设计时候的了，且总电流也变了，这种调节会使电阻值偏离初始值很大！这种结果是什么造成的呢？应该怎么调？
我的设计过程有什么不对的地方吗？
PS：诸位设计bandgap时运放是使用自偏置还是自己做偏置电路？
       当加上运放后发现总电流变化时，是应该调节管子尺寸还是电阻值比较合理？
      运放的增益和相位裕度一般做到多少可以？（我做到49dB，63.7°）
小弟新人，求高手一一解答！！！