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标题: 为什么这个LDO电路瞬态会震荡 [打印本页]
作者: some44 时间: 2022-3-30 14:27
标题: 为什么这个LDO电路瞬态会震荡
我这个是最基本的，共源共栅放大加源随加P功率管，不加电感的时候一切正常，就是尖峰高了点，如果只放图中的L30电感，也可以，就是阶跃响应差点，但是一旦加L26或L28，电路就开始震荡，仿环路裕度是够的，都100多了，电容1u，电流500mA到0，10ps的上升时间。按理说如果裕度够的话，电路加上电感不应该震荡啊，尤其是只加L30的时候，我也试了，确实电感加大加小都没太大影响，所以想问下大家，是不是加到片外电容和负载上的话，有什么是需要注意的地方？
作者: 453163787 时间: 2022-3-30 15:09
你加电感干啥
作者: some44 时间: 2022-3-30 15:22
因为要做一个单独的芯片，L30模拟从输出出去的走线电感，L28模拟电容的寄生电感，L26模拟从我的LDO到负载芯片的电感啊，最大的也才1nH，但是不理解为什么瞬态一下子就崩了
作者: some44 时间: 2022-3-30 15:23
还有，如果把ESR从200m增加到2欧，就不震荡了，可是电压掉的太厉害，可是把电容从1u增加到10u，还是震荡，为什么啊
作者: andy2000a 时间: 2022-3-30 15:44
LDO compensation 不够阿 ,一般LDO 外面esr 会影响pole ,
偷鸡就输出就串几OHM..内部补偿cap 可不必做很大.
电流是多大 ?
串 2ohm 会掉很多 ?
作者: some44 时间: 2022-3-30 15:57
就是图中的这样
作者: some44 时间: 2022-3-30 15:58
电流是从500m到0，再从0到500m的时钟电流
作者: some44 时间: 2022-3-30 16:00
而且我还是想问，我更关心的是对负载的供电会不会正常，所以是不是要看L26后面的瞬态，如果是这样的话，更差
作者: some44 时间: 2022-3-30 16:01
我的输入就1.3V，如果尖峰这么高会不会对我的负载有影响
作者: lodestar6666 时间: 2022-3-30 22:17
你确定你设计的LDO有这么高的响应速度吗？负载信号频率太高了吧
作者: some44 时间: 2022-3-31 09:49
应该是这样，带我的师傅让我这样设的，高速的
作者: some44 时间: 2022-3-31 09:54
lodestar6666 发表于 2022-3-30 22:17
你确定你设计的LDO有这么高的响应速度吗？负载信号频率太高了吧
频率低点我试过，最多尖峰低点，但是该震荡的还是震荡啊
作者: 新手IC工程师 时间: 2022-3-31 16:45
插个眼，蹲一个结果！
作者: some44 时间: 2022-3-31 16:55
还有，我想请问一下，因为我接的负载一直在高速变化，几十上百mA的变，但是需要保持接在负载上的输出保持在1mV左右的变动，我现在仿真的时候差不多3.4mV，这个怎么改善啊，我尝试增大了一倍片外电容，但是瞬态一点变化都没有，把ESR降低一半后，瞬态才稍微好了一点，差不多2.3mV的变动，把功率管的面积基本增大一倍后，瞬态也只是稍微好了一点点。
作者: some44 时间: 2022-3-31 17:05
目前我是把L30去掉了，只用L26和L28，勉强不震荡，尤其是L28，电感只会影响瞬态的大小，和裕度关系不大，L26只要不大，就不震荡，但是现在遇到的问题是，如果不加电感，我的电路随负载变化的时候（疯狂变化的负载，差不多在200mA之间高速变化），在负载上的电压输出在几mV之间波动，加了电感会更差一些，尝试了增大电容，降低ESR，和增大功率管等方法后，改善不大。。。而我需要在1mV以内波动。。。求大佬们看看吧
作者: andy2000a 时间: 2022-4-1 08:33
本帖最后由 andy2000a 于 2022-4-1 08:35 编辑
LDO 瞬态阿 .. ldo 原理就 , 你抽 load 下 开pmos, 但放开后得降低pmos , 你瞬间变化太快 , 想也知道 要瞬间. 实际电路在 PCB 上 一般都外 一个大电容 并小电容. 大的电解电容esr 和小的mlcc 电容esr是不同. 你要求 mv 好严格. 是数位电路要求? 一般SOC 内数码电路其实1.8v从+/-10% 都还好 , 至于ripple 就看要求. 但要求1mv 那是有特别原因吗? 还是有模拟analog 电路? 一般SOC chip , 数码digital 会一组LDO , 模拟analog 端另一组LDO , 需分开. 数码会 ripple就不管.至少模拟那端 不会被干扰到 , 如果IO pin 不够 , 若模拟端吃电不多 可片内ldo , or capless LDO
作者: some44 时间: 2022-4-1 10:49
原因不清楚，是这样要求的，模拟电路，因为片外电容还要封装的原因，所以还要考虑电感，我仿瞬态的时候。加了电感，电压变化更明显了。。。
作者: some44 时间: 2022-4-1 14:30
本帖最后由 some44 于 2022-4-1 14:54 编辑
我又查了一下，发现这种瞬态有波动正常的，就是纹波，但是我需要减弱这种情况https://bbs.eetop.cn/thread-189736-3-1.html
我看有的说加大片内decap，目前我的decap是500p，这个已经很大了，不能再加了，除了这个方法还有什么可以减小这个纹波啊
作者: 长江头TM 时间: 2025-5-21 22:12
楼主您好，你想用的是双pad的封装方法吗？如果是的话，我看到您前面贴的瞬态仿真结果是第一个pad的电压，并不是真正的供给芯片内部的电压，我目前也遇到了类似的问题，帖子在这里https://bbs.eetop.cn/thread-989717-1-1.html，如果看双pad里供给芯片内部的那个电压，在100ps的边沿时间，1~50mA跳变时，输出电压呈现了300mV的波动。
至于振荡，看起来似乎也是电感带来的。另外decap真的可以加到500pF吗？感觉面积有点太大了。
不知道您目前有没有解决电感带来的这个问题，如果可以还希望您指点一下。
作者: frank8282 时间: 2025-5-22 09:44
這個應該LRC造成的震盪，只有ns等級，跟PM無關吧 ??
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