双层保护环

ayanzh · 发表于 2017-11-28 10:03:12

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请教以下，对于模拟版图，如果加双层保护环，应该外圈多子环，内圈少子环；还是外圈少子环，内圈多子环？

wmd201409 · 发表于 2017-11-28 13:37:55

具体情况具体分析，一般来说内圈接电，外圈接地，NW环不允许暴露出来

lichq · 发表于 2017-11-28 15:48:12

顶楼上

Moly05 · 发表于 2017-11-28 15:58:50

一般我们画版图要求的双层保护环，指的是器件的衬底偏置环和与之相反的隔离环。例如NMOS的double ring，第一层ring是器件的bulk(衬底P+)围一圈，第二层ring是N阱围一圈n+接触的少子保护环；对于PMOS的double ring，第一层ring是器件的bulk(N阱电位n+）围一圈，第二层ring是衬底P+围一圈隔离环

motofatfat · 发表于 2017-11-29 10:02:32

同意樓上的說法
如果是整個 cell 前輩是說沒差 , 建議是外圈是 N 內圈是 P
外圈是N 可以隔出一塊區域 , 內區是P
可以加強這個區域的 P 底

layoutxyz · 发表于 2017-11-29 11:23:59

virtuoso画Ring如何画呀？一层layer一层layer画吗？

anna83 · 发表于 2017-11-30 13:23:29

最外边的环最好是接地的环

spartan313 · 发表于 2017-12-8 07:42:04

对于保护环，Nwell接的高电压VDD, 有没有要求，还是普通的VDD就行，或者说里面是数字电路就接VDDD，里面是模拟电路，就接VADD. 谢谢大家

moqqcn · 发表于 2021-10-20 21:38:40

学习了

cgz_果冻 · 发表于 2021-10-21 10:07:31

layoutxyz 发表于 2017-11-29 11:23
virtuoso画Ring如何画呀？一层layer一层layer画吗？

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