MOS器件中孔到poly的距离不一样怎么解决？

禹禹独行 · 发表于 2017-7-7 14:16:41

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从PDK库中调出的MOS在两个及以上的时候，MOS器件两边的孔到poly的距离跟里边孔到poly的距离不一样，这是怎么造成的？有什么方法可以改掉这个问题？

孔到poly的距离不一样

Snowy2016 · 发表于 2017-7-7 14:31:47

应该是PDK写得有问题，建议反馈给fab。
或者会不会是grid点的问题，如果你的grid是0.01，而MOS length是0.01的奇数倍，比如说0.41，若果0.41被当做path线处理，那为了保证不off grid，中线会向某一边偏0.005，也就是说一边是0.2，一边是0.21，结果就不再是对称的了。不过这只是我个人猜想。

kevin_l · 发表于 2017-7-7 16:16:46

看你旁边还有一个mos，是不是两个mos吸附到一起之后成这样的，单个应该没问题，这个是pcell没有做好

禹禹独行 · 发表于 2017-7-7 17:00:30

回复 2# Snowy2016

应该是fab的PDK做成这样了~~边上的孔到poly距离是0.04，里边的是0.05 ，以后只能麻烦点直接改MOS的finger了

禹禹独行 · 发表于 2017-7-7 17:03:19

回复 3# kevin_l

这个MOS的finger是大于2 的，所以不是被吸引产生的错误，如果MOS的finger为1，D/S两端孔到poly的距离全都是0.04

禹禹独行 · 发表于 2017-7-7 17:11:53

回复 3# kevin_l

这句是一个MOS，它的finger大于2~应该是PDK的问题吧

kevin_l · 发表于 2017-7-7 17:22:15

回复 6# 禹禹独行
pdk问题，妥妥的

茶清味 · 发表于 2017-7-10 15:34:33

你看看PDK给里面有没有设置孔到GT间距的参数！不然就自己做PCELL

kevin_l · 发表于 2017-7-10 16:18:40

楼上说的对，有些PDK确实存在源漏到栅间距的参数，你看看你的PDK是否存在

roro_mm · 发表于 2017-7-10 16:46:20

做PDK里pcell的人没有格点化处理。

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