2倍电荷泵设计中flying电容取大取小对性能有什么影响？

gougou_123 · 发表于 2012-10-30 21:59:24

非常感谢！！！

peterwu5 · 发表于 2012-10-31 15:25:55

好书，谢谢楼主分享！

selfsalvation04 · 发表于 2012-11-1 00:56:14

来学习来了，看了拉扎维的书还远远不够啊

急行军 · 发表于 2014-9-3 23:55:03

楼上的推荐真的很好啊

priestszpku · 发表于 2014-10-16 13:01:37

谢谢大家的讨论，以及资料分享！！

naoz · 发表于 2014-10-16 22:44:33

做过一些分析，简单的说：

1. SC Converter本身是lossy的。
2. 这个lossy用最新流行的理论，可以model成output resistor
3. 这个resistor，分2种情况。
1）FSL（fast switching limit），就是switching freq很快，或者flying cap很大，一个周期，电容电压都无法充满，那么output resisotr和Duty Cycle成反比，和开关Ron成正比。
2）SSL（slow switching limit），如果switching freq很慢，或者flying cap很小，一个周期内，电容电压被充满，那么output resistor和frequency和flying cap值成反比。
4. 从efficiency和loading capability的角度，flying cap越大，以上性能就越好。
5. 从ripple的角度，flyiing capacitor和loading cap越大，ripple越小。

ref：
[1]M. D. Seeman and S. R. Sanders, “Analysis and Optimization of Switched-Capacitor DC-DC Converters,” TPE, vol. 23, no. 2, pp. 841–851, 2008.

2002358124 · 发表于 2014-10-17 14:50:24

学习了，谢谢

lindychen · 发表于 2014-11-20 16:17:06

回复 11# Areky

那要实现10mA的负载能力，岂不是需要很大的电容，或者很快的频率？
假如V=2v，f=1MHz，要实现10MA的带载能力，电容需要5nF，想要
把电容集成在内部需要很大的面积。那么那些OTP或者flash ROM是如何
实现自烧录的呢？

hhwonderful · 发表于 2014-11-25 09:24:01

delta V= I/f*C，电容选择和负载电流，开关频率，纹波大小都有关系。

andy2000a · 发表于 2015-6-9 18:15:58

回复 Areky

那要实现10mA的负载能力，岂不是需要很大的电容，或者很快的频率？
假如V=2v，f=1MHz，要 ...
lindychen 发表于 2014-11-20 16:17

登录/注册后可看大图

SOME Flash ROM 用電erase 分5v , 12v erase ..

你说flash 类 , 一些烧flash 是外面烧录使用
12v 烧

还有些eeprom 类本身是5v 方式

至于
charge pump升压去烧录　　那是否跟多少　cell有关

全chiperase 会很耗电
但是如何
block ?

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