一种基于 "2Id/gm" 的模拟集成电路设计方法学

JoyShockley · 发表于 2020-9-2 19:26:44

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本帖最后由 JoyShockley 于 2020-9-8 19:20 编辑

1. 在Razavi的教科书, 斯坦福的 EE214 (2007 by B. Murmann), UCB's EE240 (2006 by Niknejad) 的基础上进行改进。

2. 基于2Id/gm的设计流程，能和传统流程进行良好的嫁接，优于gm/Id的流程。

3. 在本征增益查找表的处理上，提出基于L 和 Vds/(2Id/gm) 的参数设置，优于EE214（其忽略了Vds对增益的影响）。

4. 提供2Id/gm的最优值取200mV的物理解释。

5. 提出放大器增益表达式如何换算为管子的本征增益的关系

6. a. 本征增益查找表选L和Vds/(2Id/gm) ; b. 2Id/gm查找表选W。

hszgl · 发表于 2021-1-7 12:10:18

兄弟还是很活跃哦

长河落日圆 · 发表于 2020-9-9 08:26:25

可能大家对gm/ID都比较熟了，都没什么人来讨论。
跟朋友讨论了下，总结如下：
不管是2ID/gm，还是gm/ID，最大优点一是准确性，二是把公式或者说参数关系以图表形式更直观表现出来，初学者可能没有意识到这种关系，但看图就很直观，可以知道调参数往哪个方向调。
准确性其实本也应该是我们追求的东西，但工艺限制了准确性，所以只能退而求其次，在没有达到设计预期时，知道是哪里出了问题，要调什么参数。
高手不谈gm/ID，因为这已经是融会贯通的经验，gm/ID把高手的部分经验直观地展示给新人看，让新人能“查经验“来达到一定的准确性。
另外，gm/ID的其他参数取值都有一定限制，就是L的取值不太清楚，很少看到对fT有要求

ai412696819 · 发表于 2020-9-8 10:50:34

谢谢分享，之前用过几次gm/ID的方法，感觉这个方法过驱动电压的取值更为直观一些。

长河落日圆 · 发表于 2020-9-3 10:10:26

版主上次在有人问gm/ID的物理意义时提到习惯用2ID/gm，我当时在看gm/ID，试了下2ID/gm，确实感觉跟传统设计流程衔接更好。就是之前在增益这块有点搞不明白，现在看了下版主写的大概清楚了。
感觉仿真结果能够跟手算（现在也是仿真了）较为接近，对初学者确实是个正反馈，但有时候可能又会过于纠结准确性。记得之前很多人说过，准确性不是最重要的，因为后面还有工艺偏差温度变化之类，这一点在密勒补偿调零电阻上就能体现出来，因为初学者最先接触这方面的多是这个，所以重要的是裕度
所以在设计时要如何考虑裕度呢

trumen · 发表于 2020-9-2 21:02:09

下来看看

xiaofuss111 · 发表于 2020-9-3 06:51:45

感谢

不负时光 · 发表于 2020-9-3 08:52:51

可以

ttliu666 · 发表于 2020-9-3 14:38:32

谢谢谢谢谢谢谢谢谢

zqtiege · 发表于 2020-9-3 17:35:23

谢谢

koala840816 · 发表于 2020-9-4 20:56:02

Thank you so much

iyahsue_019 · 发表于 2020-9-5 11:46:13

goooooooooooooooooooooooooood

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