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[原创] 一种基于 "2Id/gm" 的模拟集成电路设计方法学

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发表于 2020-9-2 19:26:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 JoyShockley 于 2020-9-8 19:20 编辑



1. 在Razavi的教科书, 斯坦福的 EE214 (2007 by B. Murmann), UCB's EE240 (2006 by Niknejad) 的基础上进行改进。

2. 基于2Id/gm的设计流程,能和传统流程进行良好的嫁接,优于gm/Id的流程。

3. 在本征增益查找表的处理上,提出基于L 和 Vds/(2Id/gm) 的参数设置,优于EE214(其忽略了Vds对增益的影响)。

4. 提供2Id/gm的最优值取200mV的物理解释。

5. 提出放大器增益表达式如何换算为管子的本征增益的关系

6. a. 本征增益查找表选L和Vds/(2Id/gm) ; b. 2Id/gm查找表选W。

2id_gm.pdf

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发表于 2020-9-9 08:26:25 | 显示全部楼层
可能大家对gm/ID都比较熟了,都没什么人来讨论。
跟朋友讨论了下,总结如下:
不管是2ID/gm,还是gm/ID,最大优点一是准确性,二是把公式或者说参数关系以图表形式更直观表现出来,初学者可能没有意识到这种关系,但看图就很直观,可以知道调参数往哪个方向调。
准确性其实本也应该是我们追求的东西,但工艺限制了准确性,所以只能退而求其次,在没有达到设计预期时,知道是哪里出了问题,要调什么参数。
高手不谈gm/ID,因为这已经是融会贯通的经验,gm/ID把高手的部分经验直观地展示给新人看,让新人能“查经验“来达到一定的准确性。
另外,gm/ID的其他参数取值都有一定限制,就是L的取值不太清楚,很少看到对fT有要求
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发表于 2020-9-8 10:50:34 | 显示全部楼层
谢谢分享,之前用过几次gm/ID的方法,感觉这个方法过驱动电压的取值更为直观一些。
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发表于 2020-9-3 10:10:26 | 显示全部楼层
版主上次在有人问gm/ID的物理意义时提到习惯用2ID/gm,我当时在看gm/ID,试了下2ID/gm,确实感觉跟传统设计流程衔接更好。就是之前在增益这块有点搞不明白,现在看了下版主写的大概清楚了。
感觉仿真结果能够跟手算(现在也是仿真了)较为接近,对初学者确实是个正反馈,但有时候可能又会过于纠结准确性。记得之前很多人说过,准确性不是最重要的,因为后面还有工艺偏差温度变化之类,这一点在密勒补偿调零电阻上就能体现出来,因为初学者最先接触这方面的多是这个,所以重要的是裕度
所以在设计时要如何考虑裕度呢
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发表于 2020-9-2 21:02:09 | 显示全部楼层
下来看看
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发表于 2020-9-3 06:51:45 | 显示全部楼层
感谢
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发表于 2020-9-3 08:52:51 | 显示全部楼层
可以
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发表于 2020-9-3 14:38:32 | 显示全部楼层
谢谢谢谢谢谢谢谢谢
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发表于 2020-9-3 17:35:23 | 显示全部楼层
谢谢
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发表于 2020-9-4 20:56:02 | 显示全部楼层
Thank you so much
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发表于 2020-9-5 11:46:13 | 显示全部楼层
goooooooooooooooooooooooooood
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