一种基于 "2Id/gm" 的模拟集成电路设计方法学

JoyShockley · 发表于 2020-9-2 19:26:44

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本帖最后由 JoyShockley 于 2022-1-23 08:15 编辑

1. 在Razavi的教科书, 斯坦福的 EE214 (2007 by B. Murmann), UCB's EE240 (2006 by Niknejad) 的基础上进行改进。

2. 基于2Id/gm的设计流程，能和传统流程进行良好的嫁接，优于gm/Id的流程。

3. 在本征增益查找表的处理上，提出基于L 和 Vds/(2Id/gm) 的参数设置，优于EE214（其忽略了Vds对增益的影响）。

4. 提供2Id/gm的最优值取200mV的物理解释。

5. 提出放大器增益表达式如何换算为管子的本征增益的关系

6. a. 本征增益查找表选L和Vds/(2Id/gm) ; b. 2Id/gm查找表选W。

理论教程：

2id_gm.pdf (1.88 MB, 下载次数: 6799 )

基于Cadence和TSMC-28nm的实验教程：

Lab_2id_gm.pdf (1.91 MB, 下载次数: 4308 )

trumen · 发表于 2020-9-2 21:02:09

下来看看

xiaofuss111 · 发表于 2020-9-3 06:51:45

感谢

不负时光 · 发表于 2020-9-3 08:52:51

可以

长河落日圆 · 发表于 2020-9-3 10:10:26

版主上次在有人问gm/ID的物理意义时提到习惯用2ID/gm，我当时在看gm/ID，试了下2ID/gm，确实感觉跟传统设计流程衔接更好。就是之前在增益这块有点搞不明白，现在看了下版主写的大概清楚了。
感觉仿真结果能够跟手算（现在也是仿真了）较为接近，对初学者确实是个正反馈，但有时候可能又会过于纠结准确性。记得之前很多人说过，准确性不是最重要的，因为后面还有工艺偏差温度变化之类，这一点在密勒补偿调零电阻上就能体现出来，因为初学者最先接触这方面的多是这个，所以重要的是裕度
所以在设计时要如何考虑裕度呢