小工艺阱偏效应

LXS13225665126 · 发表于 2019-11-27 20:50:36

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本帖最后由 LXS13225665126 于 2019-11-28 19:03 编辑

大佬们，tsmc22、28、40nm,dummy的有源区留到多少u才比较好，就是边缘到有效mos的距离留多少合适。上下和左右的距离预留是一样的吗。

phosphors · 发表于 2020-2-6 17:40:18

你问的是WPE吧？阱包关键器件MOS栅要求大于2um(28、40nm)，即可忽略
实际看电路需求，是否对WPE敏感

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