28nm bondingPAD问题

nm2012 · 发表于 2019-8-12 11:20:31

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在28nm的cup wire bond pad有4种类型，如下图所示

想问一下这里的50和60，GU和NU有什么区别呢
文档里写的如下

这里的inner bond pad也不太理解是什么意思，求大牛们告知下这4个pad的区别是什么，谢谢了

nm2012 · 发表于 2019-8-12 11:24:22

还想问一下在Flip-chip这种封装的情况下，eu，lf_lm, lf_bu有什么区别呢，谢谢

IC_ant · 发表于 2019-8-12 13:11:13

第一个问题:
以 PAD(ESD+PAD+filler+break+etc.) Ring 两圈为例, 里面的一圈是 inner, 外面的一圈是outer. 只有一圈的情况下, 就用outer对应的那几个.
第二个问题:
要不你再读一读文档呢?

nm2012 · 发表于 2019-8-12 13:42:02

IC_ant 发表于 2019-8-12 13:11
第一个问题:
以 PAD(ESD+PAD+filler+break+etc.) Ring 两圈为例, 里面的一圈是 inner, 外面的一圈是outer. ...

谢谢回复，第二个问题已经看了文档了，第一个还是不是很理解，如下图，IO是PDB3A

请问GU和NU是这样摆放的么，一个接在IO的上面，一个用来接在IO的下面的，一个IO只需要其中的一个PAD。如果是的话那么它连在inner的PAD有什么作用呢，难道可以把焊盘像下图这样放在IO环里面么，求助，还有请问一下50和60的区别是什么，一般的电源焊盘和信号焊盘分别使用哪个，谢谢了。

IC_ant · 发表于 2019-8-12 14:19:12

nm2012 发表于 2019-8-12 13:42
谢谢回复，第二个问题已经看了文档了，第一个还是不是很理解，如下图，IO是PDB3A

请问GU和NU是这样摆放的 ...

大概就这个意思吧...
在谷歌上找了半天....

[求助] 28nm bondingPAD问题