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处理器越来越快，MOSFET快Hold不住了！
自从德州仪器工程师Jack S. Kilby在1958年发表了全球首款集成电路以来，科技产业就开进了发展的的快车道，大型机、PC、笔记本和手机等设备先后面世，各种电子终端也纷纷亮相，人类生活也在这些设备的影响下发生了翻天覆地的变化。但无论是终端的开发者还是上游的芯片供应商，对未来的期待并不止于此。
在过去的几十年内，他们相互相成、相互促进，推动整个电子产业自上如下的进步，尤其是上游的芯片产业，在摩尔定律的指导下，他们的时钟频率有了指数级的增长。以Intel为例，他们1971年推出的第一款处理器4004的主频只有108KHZ，但他们最近推出的第八代处理器主频已经提高到4.2GHz，这样的提升给终端带来太多的想象空间，但也给相关厂商带来更大的挑战。
随着处理器频率的提高，过往的硅原料和制造工艺已经不能满足设计需求了，相关厂商只能探索新的材料和制造方式。例如FinFET和高K特性的栅极绝缘层的引入，就是为了解决这样的问题的。对测试厂商来说，任务也变得更加艰巨了：
例如，现在MOSFET的栅极越来越薄，使用的材料也发生变化，那就引入了许多新的效应，比如热电子注入和表面阱等等，因此如何测试MOSFET中的这些瞬时效应就成为测试厂商和芯片厂商关注的问题。
现在标准的MOSFET测试方案都是使用直流电或者慢速波形，而常见的MOSFET高速电路都跑在1GHz以上，因此传统测试方案无法测试到高速电路中的许多重要瞬态效应。为了解决这问题，使用上升时间小于1ns的快速波形的高速测试（characterization）方案就很有必要了，因为这样就能提取到这些重要参数，进行下一步的分析。
针对这个问题，浙江大学微电子学院的赵毅教授作了一个名为《亚纳秒器件表征技术》的主题演讲，为相关人士提供解决这个问题的方法，欢迎大家下载阅览。
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发表于 2018-1-19 15:47:50
发表于 2018-1-20 10:39:31
