返回列表 发帖

有奖下载(1~2月):亚纳秒器件表征技术主题演讲PPT

有奖下载(1~2月):亚纳秒器件表征技术主题演讲PPT

处理器越来越快,MOSFETHold不住了!


自从德州仪器工程师Jack S. Kilby1958年发表了全球首款集成电路以来,科技产业就开进了发展的的快车道,大型机、PC、笔记本和手机等设备先后面世,各种电子终端也纷纷亮相,人类生活也在这些设备的影响下发生了翻天覆地的变化。但无论是终端的开发者还是上游的芯片供应商,对未来的期待并不止于此。


在过去的几十年内,他们相互相成、相互促进,推动整个电子产业自上如下的进步,尤其是上游的芯片产业,在摩尔定律的指导下,他们的时钟频率有了指数级的增长。以Intel为例,他们1971年推出的第一款处理器4004的主频只有108KHZ,但他们最近推出的第八代处理器主频已经提高到4.2GHz,这样的提升给终端带来太多的想象空间,但也给相关厂商带来更大的挑战。


                              


随着处理器频率的提高,过往的硅原料和制造工艺已经不能满足设计需求了,相关厂商只能探索新的材料和制造方式。例如FinFET和高K特性的栅极绝缘层的引入,就是为了解决这样的问题的。对测试厂商来说,任务也变得更加艰巨了:


例如,现在MOSFET的栅极越来越薄,使用的材料也发生变化,那就引入了许多新的效应,比如热电子注入和表面阱等等,因此如何测试MOSFET中的这些瞬时效应就成为测试厂商和芯片厂商关注的问题。


现在标准的MOSFET测试方案都是使用直流电或者慢速波形,而常见的MOSFET高速电路都跑在1GHz以上,因此传统测试方案无法测试到高速电路中的许多重要瞬态效应。为了解决这问题,使用上升时间小于1ns的快速波形的高速测试(characterization)方案就很有必要了,因为这样就能提取到这些重要参数,进行下一步的分析。


针对这个问题,浙江大学微电子学院的赵毅教授作了一个名为《亚纳秒器件表征技术》的主题演讲,为相关人士提供解决这个问题的方法,欢迎大家下载阅览。

1.jpg
2018-1-19 15:45



点击 立即下载PPT (需要注册)


奖励:
1. 注册下载后回帖奖励300信元
2. 本期(2017-12)会抽取30名注册的客户可免费获得“半导体器件的表征及可靠性研究交流会”汇编
(包含众多大咖演讲课题内容及深入阅读文章)



点击 立即下载PPT (需要注册)


非常不错的技术前沿研究资料,已经下载。

TOP

TOP

TOP

TOP

TOP

TOP

TOP

TOP

TOP

返回列表

站长推荐 关闭


瑞狗迎春--eetop摄影板块第五届春节&元宵节摄影大赛,现金大奖等你拿!!

瑞狗迎春--eetop摄影板块第五届春节&元宵节摄影大赛,现金大奖等你拿!!


查看