低压pin脚能用高压ESD保护吗

tfjim · 发表于 2016-1-21 23:16:46

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5v 的pin脚能用高压esd保护吗？为什么

albertyin · 发表于 2016-1-22 08:20:38

从pad到内部方向, 采用高压ESD器件=>串联电阻=>低压二级保护器件, 即可.

tfjim · 发表于 2016-1-23 13:55:38

回复 2# albertyin

谢谢

亘古的山 · 发表于 2016-1-25 15:28:07

看情况。。。。。。。。。

albertyin · 发表于 2016-1-25 16:07:36

4楼的遇到过什么特殊情况?
一般这样都可以搞定.

tfjim · 发表于 2016-1-25 16:20:31

回复 4# 亘古的山

LJFZHX · 发表于 2016-1-26 16:17:48

从pad到内部方向, 采用高压ESD器件=>串联电阻=>低压二级保护器件, 即可.
albertyin 发表于 2016-1-22 08:20

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内部是低压的MOS，外部用高压的话，由于外部高压MOS的BVD值过高，大于内部MOS的BVD，这样的话ESD泄电通路还没有开启，内部MOS就已经击穿了。特别是内部MOS直接Gate的状况。

albertyin · 发表于 2016-1-27 08:20:59

当内部(低压)MOS先击穿的情况发生时, 串联电阻会起到限流作用, 并且在串联电阻上产生压降, 这就使外部(高压)MOS看到的电压较高, 而能够开启, 泄放ESD电流. 设计上要使串联电阻和内部MOS管(二级ESD保护)取合适的尺寸, 使内部MOS管既起到钳位作用(保护后续的gate), 又能和电阻配合以维持外部ESD MOS开启需要的电压.

tfjim · 发表于 2016-1-27 09:55:24

回复 8# albertyin

谢谢你了

cxchust · 发表于 2016-1-28 20:12:28

学习了，还是不太明白

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