ESD问题请教各位大侠！

semi_bamboo · 发表于 2014-7-15 10:44:43

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各位，我在宜硕打ESD时现在碰到一个问题（宜硕打ESD比较权威，他们的ESD过程没有问题，
只是我们想分析他们的结果）
就是附件中所述的引脚PAD1对引脚VSS打正2000V（即PAD1为电压正端，VSS为电压负端）时，PAD1对VSS
的IV曲线在打ESD前后没有变化（说明PAD1对VSS的ESD防护没有被打坏），但是导致芯片引脚VDD对VSS之间有漏电，
不知道有没有人碰到过这个问题？什么机理呢，请教过程中

ruinsnku · 发表于 2014-7-15 11:08:09

最左边的反向串联二极管以及电阻是片外加的TVS吗？栅极到PAD1之间加的电阻略大啊~
另外在iST测试的时候是测完ESD立马进行IV曲线测试吗？还是说样片寄回来之后自己测的IV啊？

semi_bamboo · 发表于 2014-7-15 14:03:46

谢谢您的回复，
最左边的反向串联二极管及电阻都是on chip的，
在IST测试时测完ESD确实是立马进行IV曲线测试的，你是怀疑ESD机台上芯片静电没有放光，
但是我们将芯片拿回公司（过了3个多小时后）测试所有漏电的芯片，发现VDD和VSS之间的漏电电流
在VDD=3V时，漏电流都在194uA左右（偏+-2uA以内）；
在VDD=5V时，漏电流都等于537uA。
且3/5不等于194/537，说明不是正比例关系。

为什么说栅极到PAD1之间加的电阻略大呢？您是怀疑电阻略大响应变慢，会使ESD电路对
静电来不及反应吗？

semi_bamboo · 发表于 2014-7-15 14:04:38

回复 2# ruinsnku

谢谢您的回复

pgx133 · 发表于 2014-8-28 13:35:18

有测VDD对VSS打2000V吗？
VDD对VSS间有可能存在薄弱的地方？
如：NDIFF接VDD与NDIFF接地。

semi_bamboo · 发表于 2014-8-28 14:46:25

谢谢回复，
VDD对VSS 2000V、-2000V都测过，IV曲线没有变化，没有问题，呵呵！

crazyboy · 发表于 2014-8-28 23:17:18

连接Pad1的那两个PN NP diode（结构是什么样）是用来做ESD防护用的吗？只是单独打Pad1(+) to GND吗？你觉得这个PAD最薄弱的区域就这这块吗？

dinggo · 发表于 2014-8-30 15:44:05

PAD1只接这里吗？
Zener的开启电压和导通阻抗是多少？
ESD放电器件是哪一个？

clement1105 · 发表于 2014-9-17 18:27:16

若esd保護電路只有圖上這些的話, 串接電阻應該接在receiver之前、zener diode之後, 才能確實保護後級的gate oxide,一般應該還會有順向的diode接在pad到vdd上, 而VDD到VSS間也會有保護電路, 才能達到保護的效果

enian · 发表于 2014-10-1 00:07:11

回复 3# semi_bamboo

为什么要是3：5的正比关系器件的静态漏电本来就不是和电阻一样的
你的问题解决了吗分享下哦？

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