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[解决] SPICE modeling工程师开帖回答关于model的问题

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发表于 2013-9-5 11:46:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 ffllfe 于 2013-9-8 16:56 编辑

EETOP是个大家工作交流的好平台,本人从事SPICE modeling工作多年,如果大家有关于modeling的问题,都可以进贴一起学习讨论


推荐几本有想兴趣可以看看

1.用于VLSI模拟的小尺寸MOS器件模型
2.Compact MOSFET Models for VLSI Design
3.Device Modeling for analog and RF CMOS Circuit Design
4.MOSFET_MODELING_FOR_CIRCUIT_ANALYSIS_AND_DESIGN



spice_model_book1.rar (12 MB, 下载次数: 1090 )
发表于 2013-9-5 20:06:29 | 显示全部楼层
回复 1# ffllfe

大师你好!请问如何运用实际的电路来检测model card的准确性?除了ring oscillator。
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发表于 2013-9-6 13:40:55 | 显示全部楼层
好人啊!楼主在设计公司,foundry,还是学校?
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发表于 2013-9-6 18:49:19 | 显示全部楼层
有没有做模型方面的书籍或者资料呢,
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 楼主| 发表于 2013-9-8 16:28:08 | 显示全部楼层
回复 2# speedrain

你好!‘大师’不敢当 modeling这个圈子相对较小,希望通过这个平台和大家一起交流进步哈!

你的问题‘如何运用实际的电路来检测model card的准确性?除了ring oscillator’ 很好, R.O.的确是多数foundry选用的电路级验证SPICE model的经典方式,因为它是design最basic 的单元,而R.O.的delay又能同时反应SPICE model和PDK在DC、RC各方面的准确度,并且可以根据不同的layout方式反映出各种SPICE model涉及的特性(LOD effect、WPE effect 等)。但从验证SPICE model准确性的角度选择哪种电路都是OK的,因为只要用SPICE model对电路进行前仿和后仿,又可以对电路进行直接测量,就可以验证其准确性了。


目前的技术节点,大陆以SMIC为例已经延伸到28nm,工艺和器件模型、PDK都越来越复杂,各种RC效应对电路的影响你也加大,这部分其实是要依赖准确的PDK来抽取的,所以SPICE model和PDK要一起考虑才更加合适了。
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 楼主| 发表于 2013-9-8 16:29:55 | 显示全部楼层


   
好人啊!楼主在设计公司,foundry,还是学校?
waveguides 发表于 2013-9-6 13:40



3楼你好,我曾在foundry多年,目前在一家EDA公司,foundry和design house都是我们的客户
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 楼主| 发表于 2013-9-8 16:48:09 | 显示全部楼层


   
有没有做模型方面的书籍或者资料呢,
heeda 发表于 2013-9-6 18:49

推荐几本有想兴趣可以看看

1.用于VLSI模拟的小尺寸MOS器件模型
2.Compact MOSFET Models for VLSI Design
3.Device Modeling for Analog and RF CMOS Circuit Design
4.MOSFET_MODELING_FOR_CIRCUIT_ANALYSIS_AND_DESIGN

我把这几本书打包放在首楼,有兴趣的可以看看
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发表于 2013-9-8 23:10:27 | 显示全部楼层
回复 5# ffllfe

你好,我们现在比较多的是用在LTPS TFT上的。TFT是薄膜式的晶体管(三端元件),是应用在平板显示器上的。相较于wafer上的mos管有相同也有不同。我们会考虑RC,但与IC相比,因为线宽没有那么的小,都是在4um以上的。特性方面会有些许差异。
那用一般电路测试的时候,会引入很多不同dimension的TFT管子,所以很难去判断某一尺寸的TFT的模型的准确性。所以觉得采用RO测试,会更加的直接和准确一点。但这又会带来一个问题,示波器的负载要比RO电路的大,所以也会造成偏差。另外如果有单一P type的管子时,无法使用RO来验证。还请您不吝赐教,谢谢!
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 楼主| 发表于 2013-9-11 09:39:50 | 显示全部楼层


   
回复  ffllfe

你好,我们现在比较多的是用在LTPS TFT上的。TFT是薄膜式的晶体管(三端元件),是应用在 ...
speedrain 发表于 2013-9-8 23:10



TFT器件我并没有接触过,但你提到的RO测试时示波器负载的影响过大的,情况,我们在CMOS RO电路中会采用buffer+Flip-flop的方式进行分频,这样在有限的版图面积里可以实现尽量大的测量周期从而是示波器更加容易抓到准确的值,最后在计算的时候在把等效的RO级数除掉即可。能否请教你一下,你们的TFT薄膜晶体管既然是个三端器件,为什么不能想正常的MOS器件一样把各端接触来测量其特性呢? 如果不能单独测量你们又是如何提取模型的呢?
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发表于 2013-9-12 09:34:59 | 显示全部楼层
看到了精彩的辩论,赞一个。能够搞清楚问题就很好
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