关于低功耗设计运放输入管进入亚阈值区的问题

不用电费 · 发表于 2016-3-15 14:33:19

回复 4# nashmvp

Vdsat是该栅压下达到饱和的源漏电压，源漏电压达到这个值器件进入饱和区。Vod过驱电压，无论是饱和区还是亚阈值导电区都需用Vod值，饱和区，Vod是正值，亚阈值导电区是负值。Vdsat小于3个Vt，是为了保证器件在任何情况下都工作在亚阈值导电区。

andy2000a · 发表于 2019-5-14 09:12:03

wocaishidac 发表于 2012-8-27 20:26
才30nA的电流，多做备选方案，从已有的经验来看(参与过单片800nA功耗的产品设计)，fail的概率很大。这里的f ...

才30nA的电流，多做备选方案，从已有的经验来看(参与过单片800nA功耗的产品设计)，fail的概率很大。
这里的fail倒不是指funciton fail，而是实际功耗会和你仿真结果偏差很大。

=>

那一般 model 是否 <100na 都不够准? 那如果用 cuurent mirror 可到都低 ?

hadeheng · 发表于 2019-5-23 17:50:47

thanks

苏AE86 · 发表于 2020-7-10 10:28:15

学习了

chenximing · 发表于 2020-8-5 08:34:40

jamesccp 发表于 2012-8-27 16:36
在HSPICE下，我觉得你应该把每个corner的vod=vgs-vth值都看一遍，vod尽量小于 3个VT，（3×26mv） ...

vod尽量小于 3个VT，（3×26mv）为啥？

苏AE86 · 发表于 2020-8-5 09:37:34

chenximing 发表于 2020-8-5 08:34
vod尽量小于 3个VT，（3×26mv）为啥？

VDS>3VT>VOD,为了让管子工作在亚阈值区的饱和区

虎大王 · 发表于 2020-8-5 18:51:50

苏AE86 发表于 2020-8-5 09:37
VDS>3VT>VOD,为了让管子工作在亚阈值区的饱和区

有参考文件这样论述的吗？还是你的个人经验？

苏AE86 · 发表于 2020-8-6 09:13:06

虎大王发表于 2020-8-5 18:51
有参考文件这样论述的吗？还是你的个人经验？

亚阈值的饱和区的概念，我也是看站内有人这么说

gugu810 · 发表于 2020-8-20 10:52:51

学习了

摩卡咖啡 · 发表于 2020-11-4 14:23:42

虎大王发表于 2020-8-5 18:51
有参考文件这样论述的吗？还是你的个人经验？

根据这个公式，说Vds>3Vt以上，才能够满足形成扩散电流浓度梯度的条件

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