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EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
楼主: caoshangfeima

[资料] 求问,关于ADS2008射频电路设计与仿真实例中,关于功放的疑问

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发表于 2012-8-15 17:11:53 | 显示全部楼层
多谢楼主分享
发表于 2012-8-18 20:07:23 | 显示全部楼层
楼上的讨论都不错,目前正打算从RF passive circuit向active 方向扩张,可以多交流
发表于 2012-8-20 14:35:52 | 显示全部楼层
回复 1# caoshangfeima


    顶一下
发表于 2012-8-26 18:15:20 | 显示全部楼层
回复 6# chenjin0011


    电阻和电容的并联式提高稳定性的一种方式。
发表于 2012-9-24 16:06:44 | 显示全部楼层
LDMOS管器件模型的那个引脚是接地的,我一般仿真的时候都接上了地。
栅极偏置线上的那个电阻是用来提高稳定性的,一般来说选用5欧姆或者10欧姆,当然这个电阻越高稳定性越好,但是会引入较高的记忆效应
对于不稳定的功放管,可以认为其输入阻抗的实部是负阻,在功放的输入匹配前加一个串联或者并联电阻,都能够增加输入阻抗的实部,使其大于0,从而避免自激,
发表于 2012-9-27 23:16:00 | 显示全部楼层
T是温度的意思,在模型仿真的时候用来提取温补斜率

栅极加偏置电阻主要是为了起到隔断射频信号的作用,令一方面也可以提高管子的稳定性
发表于 2014-4-28 23:27:16 | 显示全部楼层
路过的!!!
发表于 2014-5-8 15:53:22 | 显示全部楼层
还不错,好好看看
发表于 2014-5-31 12:30:44 | 显示全部楼层
栅极加电感或扼流圈是为了隔离RF成分,加电阻是调整偏置电压
发表于 2014-7-27 23:53:13 | 显示全部楼层
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