MOS补偿电容

levintt · 发表于 2019-1-22 10:39:00

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

请问各位前辈，为什么用MOS管做两级放大器的补偿电容时，改变工艺角MOS电容Cgg变化不大，但放大器性能却有很大改变呢？低温ss和高温ff时相位裕度和增益带宽积明显下降，该怎么理解这个现象啊？MOS做补偿电容的例子有没有前辈能分享一下，谢谢！

ywic · 发表于 2019-1-25 09:56:38

你可以回去再看看运放的参数和各个器件的关系。这个补偿电容并不能决定运放的相位裕度和增益带宽积什么的

levintt · 发表于 2019-2-18 09:32:03

回复 2# ywic

选用的两级运放结构，其中第一级是套筒式放大器，第二级为共源级，采用的共源共栅补偿，对这个补偿结构理解的还不是很到位，不知道您有没有更多的了解，谢谢。

射磊强操VCO · 发表于 2019-2-18 10:13:08

corner看下管子dc工作点，然后你的电容先换成理想的再比较一下。

semico_ljj · 发表于 2019-2-18 15:07:26

回复 1# levintt

不是电容引起的，电容不再是主因吧

mikeppq · 发表于 2019-2-18 16:43:24

corner工作点不对吧

shadowsun · 发表于 2019-2-18 17:37:06

回复 1# levintt

仿真mos电容的 CV曲线

levintt · 发表于 2019-2-18 19:34:34

回复 4# 射磊强操VCO

您好，您是说看下放大器中其他管子的工作点吗？采用MOS电容时，不同工艺角下其他管子也都是在饱和区的，还是应该看什么？谢谢您的回答，我学的还不够到位，我再继续研究研究。

levintt · 发表于 2019-2-18 19:36:01

回复 5# semico_ljj

谢谢您的回答，麻烦您能再说的具体一点吗，谢谢！

levintt · 发表于 2019-2-18 19:38:13

回复 7# shadowsun

谢谢您的回答，我之前也在固体物理课本上看了看MOS电容的CV特性曲线，但是还是没懂该怎么用，能麻烦您再指点一下吗，谢谢！

[求助] MOS补偿电容