MOM电容

lianaissmec · 发表于 2018-9-17 15:14:09

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很多代工厂的design rule 中规定了MOM只能用到Mtop-1层，也就是说，芯片的顶层金属如果是六层的话，最多只能用到M5做MOM电容，在MOM电容上不能走其他的线，为什么不能使用顶层金属做MOM电容呢？原因是什么？请各位大侠帮忙

maomao198477 · 发表于 2018-9-17 16:37:14

顶层厚我只是这么理解

gxd12 · 发表于 2018-9-18 09:10:55

顶层线之间的间距宽，容值太小了

lwq_119 · 发表于 2018-9-18 09:23:15

回复 1# lianaissmec

有保护的作用，封装时候怕会对电容精度有影响

lianaissmec · 发表于 2018-9-18 20:39:13

回复 2# maomao198477

顶层金属厚，叉指的侧面更大，mom电容主要是侧壁电容，这不是更好吗?

lianaissmec · 发表于 2018-9-18 20:42:40

回复 3# gxd12

虽然它的容值小，但是多一层金属，它的总容值总会増加吧，哪为什么不能用顶层金属呢?

lianaissmec · 发表于 2018-9-18 20:47:02

回复 4# lwq_119

请问一下，在哪里可以找到详细的相关资料

18601774272 · 发表于 2018-9-23 12:10:48

插指电容，考虑的是侧壁电容，要综合考虑间距大了之后的电容，用到顶层金属最后电容可能比不用还要小

lianaissmec · 发表于 2018-9-25 16:53:37

回复 8# 18601774272
Mtop-1的金属使用最小规则进行设计，仅仅顶层金属使用顶层金属的规则进行设计，这样能够保持下面金属形成的电容值不变，而增加顶层金属的电容，总的来说电容值还是增加的

andyfan · 发表于 2018-9-26 20:10:14

回复 1# lianaissmec

这个T家是最权威的，我查看过设计规则。工艺上允许，但器件模型和PDK不提供而已。
不提供也很容易理解，PCELL是要做有规律的，顶层金属的规则一般是比较大的，不容易和下面的做成同样的PCELL。

简单举例，40nm，顶层4倍的金属W/S是0.4u/0.4u,而下面是0.07u/0.07u。要做有规律的PCELL，势必要和上面画的一致，哪总电容反而变小了。

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