请教失效分析的问题

tulipyjx · 发表于 2018-8-3 19:49:59

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用INGAAS作芯片的失效分析，对分析的结果看不明白，想请教一下：
1. 工作于饱和区的MOS管都能出现热点吗？我现在有几个工作于饱和区的MOS管，流过电流约为4mA左右，可只有其中的两个照出来了热点，这是怎么回事？
2. 如果在芯片的工作状态，由于输入信号是一个GHZ级的高频信号，导致MOS管虽然直流电流大，但以GHZ的频率对此大电流时开时关，这种管子会照出来是热点吗？

tulipyjx · 发表于 2018-8-5 10:36:50

自己顶一下，期待有人帮忙解答。

pdauser1002 · 发表于 2018-8-5 10:54:16

在下从来没用过此软件，但是您可以检查一下是否大电流的晶体管同时也有相当的压降。
因为P=I*V.如果压降很低，功率消耗未必就大。

king0798 · 发表于 2018-8-6 09:50:35

这几个mos管电流一直有的吗

tulipyjx · 发表于 2018-8-6 13:56:51

这几个mos管电流一直有的吗
king0798 发表于 2018-8-6 09:50

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这是个振荡器电路，如果电路正常工作的话，这几个MOS管有时工作于线性区，有时工作于饱和区，还有短暂的时间工作于截止区。但只有两个对管在InGAAS下可发现热点。

tulipyjx · 发表于 2018-8-6 18:43:49

回复 5# tulipyjx

自己再顶一下。

mikeppq · 发表于 2018-8-7 09:35:21

先算一下平均功率是多少

tulipyjx · 发表于 2018-8-7 18:06:46

发光的MOS管的瞬态平均功率6.8mW, 有两个MOS管，瞬态平均功率2.7mW,但不发光。

tulipyjx · 发表于 2018-8-8 17:02:53

回复 8# tulipyjx

再顶一下。

tulipyjx · 发表于 2018-8-10 15:13:10

再顶一下。

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