OTA仿真设计结果对比讨论

s橙子s · 发表于 2018-7-26 09:49:45

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一个简单OTA电路，采用老版的工艺库模型文件仿真得到的增益有1900如下图所示

但换用新的工艺库模型文件，仿真得到的增益只有200
如下图所示：

就一个简单的电路，电路图如下：

输入对管偏置在亚阈值区域，负载管子我用多个管子串联
以达到高的沟道长度以获得足够大的ro
工作区和状态我都确定过没问题。

用的是某mic的0.18um工艺。这两种参数模型相差的也太多了吧各位大神有没有遇到类似的情况

liuzc_ · 发表于 2018-7-27 17:47:52

你这个电流好小，不知道怎么做到这么大增益的

你的仿真结果不一样是不是因为你换成了其它工艺的模型，比如从180nm换成了更高级的工艺

s橙子s · 发表于 2018-7-27 21:59:21

回复 2# liuzc_

你好，工艺节点也是180nm，只是我对同一尺寸的MOS管，如10um/10um的单管本证增益仿真，发现老工艺库的本证增益比新工艺库的还要大。老的有1000多，新的只有500多，所以结果不同
老工艺库的模型文件是08年的，而新工艺库的模型文件是17年的。这个也就很奇葩了。就是smic的180nm混合信号工艺1P6M

s橙子s · 发表于 2018-7-27 22:02:16

回复 2# liuzc_

新工艺的模型是BSIM4，老的是BSIM3，器件的工艺参数有变化

s橙子s · 发表于 2018-7-27 22:05:25

回复 2# liuzc_

你好，工艺没有换，都是180nm的工艺，只是模型文件做了更新。新的文件是17年的版本。而老文件是08年的版本。分别对两个版本的同一尺寸的MOS的单管本证增益仿真，老工艺的有1000多，而新工艺的只有500多。差了很多。不知是原来工艺不准还是新工艺对器件的性能做了调整

touching · 发表于 2018-7-28 09:20:53

回复 1# s橙子s

这个结构，这个电流，增益不太可能达到1900

s橙子s · 发表于 2018-7-28 10:28:30

回复 6# touching

那，你设计的增益最大有多大，能否分享一下经验

大话天神 · 发表于 2022-1-8 11:25:06

亚阈值区的电流增益最大的，但是输出电流很小，我感觉运用场景稍微差点

dxwn · 发表于 2023-7-17 17:46:08

touching 发表于 2018-7-28 09:20
回复 1# s橙子s

这个结构，这个电流，增益不太可能达到1900

同意 65dB有点高了

z_b_q · 发表于 2024-8-27 10:45:25

增益有些高了

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