sentaurus的阈值电压是如何计算的

duty001

本人在使用sentaurus进行SOI结构仿真时，其中需要得到器件的阈值电压VT。
    原以为只要器件的尺寸和掺杂浓度确定了，即使不加电压，软件也会计算出来VT，但似乎不是这样子的......因为不加电压的话，软件直接报错
    询问后得知需要通过Id-Vg曲线求得，但不知道软件具体是怎么得到VT的，即具体是怎么在图像上确定VT对应的点，想问问大家。
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下面是我做的具体例子：
   
对于如下的器件参数：

表1

nbody	nsource	ndrain	tsi	toxb	toxf	L	Vd	Vgf
1e16	1e20	1e20	0.1	0.05	0.007	0.25	2	1

其中，Vd保持不变，Vgf从0变化到1V。得到阈值电压VT=0.53937281，截图如下：

图1

当把Vgf的变化范围改成0—2V时，得到VT=0.96950012，截图如下：

图2

当把Vgf的变化范围改成0—5V时，得到VT=1.3033649，截图如下：

图3

看到随着Vgf的变化范围变大，软件得到的VT也变大了，这是怎么回事？阈值电压不应该固定在一个值的吗？

希望能够有人解答，万分感谢，也感谢所有能够读贴的人，谢谢~

最后附上我实验时所采用的简易SOI结构图：

图4

ydd0617

请问最上层的小界面，也就是Vth的计算界面是怎么打开的呀

duty001

回复 2# ydd0617

    这么长时间没有看到，不好意思哈~
   
    曲线旁边有个“New”选项，点击进去后，点Vth0然后选择你想测阈值电压的曲线，然后点击ok就显示出来了。

    关于软件如何测量的这个阈值电压：
         据看过手册的人给我说，软件是计算Id-Vg曲线中线性区反向延长线与Vg轴的交点得到的。

ydd0617

回复 3# duty001


   谢谢了阿。手册软件有自带。但是没看明白VT跟VT1的区别。

semizhj

我最近也发现，mos仿真出来的阈值电压随端电压不同变化较大。一般变化应该没那么显著才对.. 一直在找原因.
阈值电压的计算是通过Id-Vg曲线的导数最大值位置(也就是当gm最大时）沿Id-Vg斜率方向作切线，与Vg轴的交点，就是Vtgm

lk_rongxiang

学习，谢谢分享

liulb11

sentaurus 的阈值电压提取看手册，一般有恒流法、最高跨导法、不建议直接用，可能由于选择错误，提取出错。