模拟笔试的一道题

Roy-yu · 发表于 2017-9-23 16:54:03

回复 9# noves

增加驱动能力。因为最后那个NMOS一般尺寸比较大，1个inv不一定能驱动了，后面2个inv尺寸应该是逐次增大的

ussr88 · 发表于 2017-9-24 18:07:41

대답 2 # noves

Ha

noves · 发表于 2017-9-26 11:29:36

回复 11# Roy-yu

好的，谢谢

普雅花 · 发表于 2017-9-26 13:54:10

学习学习

风也信子 · 发表于 2017-11-1 19:26:35

这是典型的power clamp设计，可以简单认为，esd脉冲来后RC没法及时反应，clamp管子短暂导通，从而泄放esd电流。实际工作机理比这复杂，电源到地打esd正电时，clamp管子衬底寄生diode反向雪崩击穿从而泄放esd电流，打负电时diode正偏泄放电流

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