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查看: 3708|回复: 13

[求助] MOS器件中孔到poly的距离不一样怎么解决?

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发表于 2017-7-7 14:16:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

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从PDK库中调出的MOS在两个及以上的时候,MOS器件两边的孔到poly的距离跟里边孔到poly的距离不一样,这是怎么造成的?有什么方法可以改掉这个问题?

孔到poly的距离不一样

孔到poly的距离不一样
发表于 2017-7-7 14:31:47 | 显示全部楼层
应该是PDK写得有问题,建议反馈给fab。
或者会不会是grid点的问题,如果你的grid是0.01,而MOS length是0.01的奇数倍,比如说0.41,若果0.41被当做path线处理,那为了保证不off grid,中线会向某一边偏0.005,也就是说一边是0.2,一边是0.21,结果就不再是对称的了。不过这只是我个人猜想。
发表于 2017-7-7 16:16:46 | 显示全部楼层
看你旁边还有一个mos,是不是两个mos吸附到一起之后成这样的,单个应该没问题,这个是pcell没有做好
 楼主| 发表于 2017-7-7 17:00:30 | 显示全部楼层
回复 2# Snowy2016


   应该是fab的PDK做成这样了~~边上的孔到poly距离是0.04,里边的是0.05  ,以后只能麻烦点直接改MOS的finger了
 楼主| 发表于 2017-7-7 17:03:19 | 显示全部楼层
回复 3# kevin_l


   这个MOS的finger是大于2 的,所以不是被吸引产生的错误,如果MOS的finger为1,D/S两端孔到poly的距离全都是0.04
 楼主| 发表于 2017-7-7 17:11:53 | 显示全部楼层
回复 3# kevin_l


   这句是一个MOS,它的finger大于2~应该是PDK的问题吧
发表于 2017-7-7 17:22:15 | 显示全部楼层
回复 6# 禹禹独行
pdk问题,妥妥的
发表于 2017-7-10 15:34:33 | 显示全部楼层
你看看PDK给里面有没有设置孔到GT间距的参数!不然就自己做PCELL
发表于 2017-7-10 16:18:40 | 显示全部楼层
楼上说的对,有些PDK确实存在源漏到栅间距的参数,你看看你的PDK是否存在
发表于 2017-7-10 16:46:20 | 显示全部楼层
做PDK里pcell的人没有格点化处理。
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