MOS器件中孔到poly的距离不一样怎么解决？

禹禹独行

从PDK库中调出的MOS在两个及以上的时候，MOS器件两边的孔到poly的距离跟里边孔到poly的距离不一样，这是怎么造成的？有什么方法可以改掉这个问题？

孔到poly的距离不一样

Snowy2016

应该是PDK写得有问题，建议反馈给fab。
或者会不会是grid点的问题，如果你的grid是0.01，而MOS length是0.01的奇数倍，比如说0.41，若果0.41被当做path线处理，那为了保证不off grid，中线会向某一边偏0.005，也就是说一边是0.2，一边是0.21，结果就不再是对称的了。不过这只是我个人猜想。

kevin_l

看你旁边还有一个mos，是不是两个mos吸附到一起之后成这样的，单个应该没问题，这个是pcell没有做好

禹禹独行

回复 2# Snowy2016


   应该是fab的PDK做成这样了~~边上的孔到poly距离是0.04，里边的是0.05  ，以后只能麻烦点直接改MOS的finger了

禹禹独行

回复 3# kevin_l


   这个MOS的finger是大于2 的，所以不是被吸引产生的错误，如果MOS的finger为1，D/S两端孔到poly的距离全都是0.04

禹禹独行

回复 3# kevin_l


   这句是一个MOS，它的finger大于2~应该是PDK的问题吧

kevin_l

回复 6# 禹禹独行
pdk问题，妥妥的

茶清味

你看看PDK给里面有没有设置孔到GT间距的参数！不然就自己做PCELL

kevin_l

楼上说的对，有些PDK确实存在源漏到栅间距的参数，你看看你的PDK是否存在

roro_mm

做PDK里pcell的人没有格点化处理。