请问高压工艺版图应该注意什么？有没有什么资料可以参考学习的？

我是白小白 · 发表于 2017-5-8 10:30:45

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还是新手，没画过高压工艺，对高压模块版图一点也不了解，希望各位大神分享些资料！

夏雨123 · 发表于 2017-5-8 17:39:00

同求！！！

Snowy2016 · 发表于 2017-5-8 19:48:05

高压区域需要更加注意寄生器件的开启，电压较高，电场较强。
例如，POLY、M1不要跨过PN well边界，容易造成寄生BJT导通，引起latch-up等问题。HV区域比较倾向于不在device上面跑线。还要注意guard ring的完整性，ESD、Latch的rule也会大很多。

anna83 · 发表于 2017-5-11 09:31:42

以前没接触过，多谢3楼讲解，大概有个了解了

andy2000a · 发表于 2017-5-11 09:41:23

以前没接触过，多谢3楼讲解，大概有个了解了
anna83 发表于 2017-5-11 09:31

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高压模块版图

1.  MOS sym  and not-asym device  , DMOS or LDMOS
   isolation NMOS ..

2. rule space
3. HVNW  or SOI  or UHV trench well

大力射门 · 发表于 2017-5-22 09:49:23

高压区域需要更加注意寄生器件的开启，电压较高，电场较强。
例如，POLY、M1不要跨过PN well边界，容易造成 ...
Snowy2016 发表于 2017-5-8 19:48

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通过高层金属连接出去么？

Snowy2016 · 发表于 2017-5-23 08:43:01

用靠上层一点的metal可以在一定层度上减小场强。

andy2000a · 发表于 2017-5-23 11:32:23

通过高层金属连接出去么？
大力射门发表于 2017-5-22 09:49

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Uhv rocess 会有此规定

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