带隙基准启动电路

紫云lyj · 发表于 2016-11-9 16:28:14

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带隙基准原启动电路在快速启动时，输出电压先升到vdd然后降到正常值，主要由于启动电路的关断由启动电路电容充电时间决定，而非带隙电路控制，因而改变启动电路，采用反相器加nmos结果导致电路震荡，请问该如何处理？

原电路

更改启动电路后

原电路输出电压瞬态波形

更改后输出电压振荡

雪走之魂 · 发表于 2016-11-10 08:14:00

华大九天的Aether吧……

又是比赛题目？

kidd_han · 发表于 2016-11-10 09:52:20

左边这个反相器要做的很不对称，P很弱很弱，保证翻转阈值在VthN附近。反相器的输出还可以加个电容。

紫云lyj · 发表于 2016-11-10 17:54:49

试了一下，加电容确实是可以让电路正常工作的

wushixinjie · 发表于 2016-11-10 19:43:29

xuexi

紫云lyj · 发表于 2016-11-10 20:42:20

请问转换阈值为什么需要在Vth附近呢？

semico_ljj · 发表于 2016-11-11 14:26:15

加稳压电容

kidd_han · 发表于 2016-11-11 14:58:23

回复 6# 紫云lyj

因为要那这个反相器检测vref是否启动，vref启动后1.2V，所以反相器阈值要在1.2V以下，考虑到工艺温度影响，尽可能做到VthN附近，这样才保证不影响正常工作。
这个基准电路有改进的地方。
1. 最上一排PMOS gate到VDD建议加电容，可以用PMOS做电容。改善PSRR。
2. Vref输出一般是一定要加电容稳压的。

紫云lyj · 发表于 2016-11-16 20:01:47

谢谢您的回复，学习了

未来星 · 发表于 2017-8-1 10:47:23

谢谢分享

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