DCDC芯片内部mos管

Radical608 · 发表于 2016-8-16 17:34:13

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有的DCDC不需要boost电容，而有的需要该自举电容，主要差别是内部mos管。内部采用是pmos还是nmos主要是什么区别？

vint019 · 发表于 2016-8-17 00:43:43

你的sub接哪裡?
接0V會出問題，要接最低電壓-5V。
你的Co_sub要接最高電壓+5V。

Roy-yu · 发表于 2016-8-17 08:20:17

回复 1# Radical608

以Buck为例，内部使用PMOS+NMOS的话，不需要Boost电容；如果内部使用NMOS+NMOS的话，那就需要Boost电容了。因为NMOS传导高电平会有阈值损失，用Boost电容和控制电路产生一个高于Vdd的电压可以避免这一点。
当然，用NMOS的最大优点肯定是节约面积，功率MOS很大，2-3倍的面积，还是很可观的。

Radical608 · 发表于 2016-8-17 08:24:53

回复 Radical608

以Buck为例，内部使用PMOS+NMOS的话，不需要Boost电容；如果内部使用NMOS+NMOS的话， ...
Roy-yu 发表于 2016-8-17 08:20

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谢谢。不过，”因为NMOS传导高电平会有阈值损失“这句话怎么理解？很多DCDC规格书是高压输入的有boost，而低压输入没有boost电容。
高压与低压主要是考虑什么？求解释，非常感谢诶。

Radical608 · 发表于 2016-8-17 08:27:24

回复 3# Roy-yu

谢谢。“因为NMOS传导高电平会有阈值损失”这话怎么理解。看了些DCDC规格书，高压输入的都是有boost电容，而低压的没有，这高压与低压主要考虑什么来选择pmos或者nmost??求解释，非常感谢。

Roy-yu · 发表于 2016-8-17 09:17:09

关于NMOS传导高电平的阈值损失，见Razavi书12.2节。
至于功率MOS管的选型，这得看具体的设计。
个人觉得，高压下，真的要用PMOS+NMOS管也不是不行，这并不是绝对的

Radical608 · 发表于 2016-8-17 09:22:32

回复 6# Roy-yu

”至于功率MOS管的选型，这得看具体的设计。“，能不能帮忙举一两个例子，非常感谢。

mikeppq · 发表于 2016-8-17 09:52:52

die size， latch-up

奥运会大师 · 发表于 2016-8-17 13:58:40

ep_lq · 发表于 2019-12-4 21:20:28

看看

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