求助简单运放失调电压仿真实例

mininote2133 · 发表于 2016-2-29 11:28:35

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如题，电路里一个运放对失调敏感，需要仿真评估，在论坛里看了看，没找到直接能找着步骤一步一步来的参考文档，各位如果有相关文档，最好是能拿过来照着一步一步做的那种。还望发一下链接，多谢！

lwjee · 发表于 2016-2-29 14:07:40

接成buffer，看输出输入差，系统偏差和随机误差都可以看到了。

xiaruiwei · 发表于 2016-2-29 15:12:22

回复 2# lwjee

系统误差可以，随机误差怎么看??

lwjee · 发表于 2016-2-29 17:45:01

回复 3# xiaruiwei

看monte-carlo仿真结果

xiaruiwei · 发表于 2016-2-29 21:45:27

回复 4# lwjee

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yzx90333 · 发表于 2020-8-14 13:12:38

lwjee 发表于 2016-2-29 14:07
接成buffer，看输出输入差，系统偏差和随机误差都可以看到了。

您好，问一个问题，五管差分对里面，是W/L偏差造成的误差大还是Vth偏差造成的误差大，有没有办法分别仿真出来

ol0930 · 发表于 2020-8-25 19:11:42

yzx90333 发表于 2020-8-14 13:12
您好，问一个问题，五管差分对里面，是W/L偏差造成的误差大还是Vth偏差造成的误差大，有没有办法分别仿真 ...

我认为正常设计时，无论是MOS电流源负载抑或是有源MOS负载的五管差分对，都是阈值电压Vth造成的偏差更大：以差分对进行分析：
1、输入差分对的阈值电压失配直接折算为输入失调电压，Vos=δVth；
2、输入差分对的宽长比失配（W+δW）/（L+δL）造成的电流失配要除以输入差分对的跨导才折算到输入，Vos=I*[（δW）/（δL）]/gm；
PS：第二个式子将沟宽和沟长看成独立变量，并且做了等效替代。

yzx90333 · 发表于 2020-9-12 11:39:58

ol0930 发表于 2020-8-25 19:11
我认为正常设计时，无论是MOS电流源负载抑或是有源MOS负载的五管差分对，都是阈值电压Vth造成的偏差更大 ...

从下面这张表看，对于差分对来说，确实是σVt造成的等效输入offset大于σβ造成的offset，差别大约是5:1的比例.

lzicd · 发表于 2021-10-14 10:33:10

有没有那种文档啊

红红的西瓜 · 发表于 2022-8-6 22:04:47

本帖最后由红红的西瓜于 2022-8-6 22:06 编辑

yzx90333 发表于 2020-9-12 11:39
从下面这张表看，对于差分对来说，确实是σVt造成的等效输入offset大于σβ造成的offset，差别大约是5:1的 ...

问一下这个是normal Vth管子吗？如果的话Vth粗略大概在800mV，按照这个参数，1um^2的面积会有5mV的ΔVth，相当于0.625%，这样比较的话貌似是Vth引入的offset较小？
请问你是怎么算的？另外问一下百分比单位的参数β表示的是(ΔuCoxW/L)/uCoxW/L吗？

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