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楼主: Accee

[求助] Id/w~gm/Id绘图扫描L形成一簇曲线

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 楼主| 发表于 2015-4-17 21:48:43 | 显示全部楼层
回复 9# xiaoquanic


   明白了,谢谢!
发表于 2015-6-19 17:37:20 | 显示全部楼层
回复 6# xiaoquanic


   谢谢,解决了我想要的。
发表于 2015-9-15 14:14:15 | 显示全部楼层
回复 6# xiaoquanic

请问特征频率那张图是怎么仿真的,谢谢!
发表于 2015-9-15 19:00:32 | 显示全部楼层
回复 13# zf3177


   ft的公式我是用的gm/Cgg,其中Cgg=Cgs+Cgd+Cgb,不过也有的人说不需要Cgd,但是在选取参数的时候,不知道减了Cgd后的参数是哪一项,或者可以自己减下,但是综合来说Cgd的影响对整个Cgg的影响好像可以忽略,可以直接使用Cgg来做,具体我也没有详细的搞清楚,因为在斯坦福的课件上看到hspice中使用的是Cgg项,在cadence中好像不是叫“Cgg”,叫什么名字我也忘记了,是一个类似的名字,你可以先看下那几个C相关的参数输出情况,DC点也可以输出MOS参数看下,你就可以看到Cgs Cgd Cgb三个和和另一个电容参数相等,它就是“Cgg”了
发表于 2015-9-16 09:41:36 | 显示全部楼层
回复 14# xiaoquanic
我是想看ft和gm/id之间的关系,斯坦福课件上的,只是,仿真过程不大会,我设置Vds跟随Vgs变化,先仿真直流工作点,得到gm/id参数表达式,再设置ac仿真0-25G,parametric analyze扫描晶体管长度和vgs,但是出来的量和频率没关系,求解。
发表于 2015-9-16 10:00:57 | 显示全部楼层
回复 14# xiaoquanic
我明白了,你的意思是用gm/cgg就是ft了对吗。跟ac仿真没关系。。
发表于 2015-9-16 18:11:04 | 显示全部楼层
回复 16# zf3177


   是的,不是做ac仿真,做直流分析,直接出ft的结果的
发表于 2017-3-21 22:16:35 | 显示全部楼层
受教了
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