用于PLL的1.2V低电压电荷泵采用什么结构比较好？

九段演员不是梦 · 发表于 2015-6-2 08:34:18

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如题，电源电压1.2V，MOS管VTH在0.5V左右，在低电压下，一些结构就很难实现了，比如抑制沟道调制共源共栅结构的电荷泵就很难实现，那么，什么样的电荷泵结构可以适用于低压，而且电流失配等非理想因素比较好？有没有什么经验，或者一些资料多谢大家指导！

rong00i8 · 发表于 2015-6-5 07:14:06

self bias

zy_gu@163.com · 发表于 2015-6-5 08:52:54

你用的是什么工艺?

semico_ljj · 发表于 2015-6-5 19:38:13

Vth 0.4左右吧

semico_ljj · 发表于 2015-6-5 19:38:58

回复 1# 九段演员不是梦

低的可以到0.3V

九段演员不是梦 · 发表于 2015-6-7 18:49:16

回复 3# zy_gu@163.com

55n

九段演员不是梦 · 发表于 2015-6-7 18:50:41

回复 4# semico_ljj

VTH0.5……

bright_pan · 发表于 2015-6-7 22:47:17

55nm, 为啥不试试ADPLL工艺呢？

zy_gu@163.com · 发表于 2015-6-8 14:43:02

还是得用cascode结构啊

semico_ljj · 发表于 2015-6-8 16:48:38

回复 7# 九段演员不是梦

我奇怪的是什么工艺？TSMC的貌似没这么高

[求助] 用于PLL的1.2V低电压电荷泵采用什么结构比较好？