根据PDK仿真得到MOSEFET的手算参数（K,Vth）

lipinshengxp · 发表于 2014-11-26 22:15:59

不错的资料！！！！

ralphtw · 发表于 2014-12-4 20:02:03

good reference !!!

ww37212003 · 发表于 2015-2-1 21:25:29

支持原创，很不错

fightshan · 发表于 2015-4-10 10:18:54

做电路不能做spice monkey，也就是在仿真前就应该能预测结果，也就是在仿真能手算出大致的曲线，但是PDK根本 ...
真我个性发表于 2014-11-7 21:29

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楼主按照PDK给的参数算出来的K跟仿真给的K差距也太大了吧？我用PDK的参数手算的共源级饱和电流是仿真的2倍，而且随着VGS的增大，手算的饱和电流和仿真的饱和电流之比越来越大········为什么？

真我个性 · 发表于 2015-4-10 12:38:39

回复 24# fightshan

很正常，短沟道效应

wandola · 发表于 2015-4-10 15:45:39

现在早就用gm/Id来计算尺寸了。。。。这种参数的计算，已经不太适用于0.18um及一下了

fightshan · 发表于 2015-4-10 16:34:49

回复 fightshan

很正常，短沟道效应
真我个性发表于 2015-4-10 12:38

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我用的.5的工艺，而且L放到100u 手算的也和仿真差距明显，这里可能不是短沟道效应，感觉是K差了好多，这个K为什么会差很多呢？

fightshan · 发表于 2015-4-10 17:02:58

回复 26# wandola

我觉得用spectre绘gm/Id的曲线比较麻烦，有没有什么参考可以推荐？

Charless · 发表于 2015-6-11 23:43:56

不错不错啊

jiqimao110 · 发表于 2015-6-12 05:56:31

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[原创] 根据PDK仿真得到MOSEFET的手算参数（K,Vth）