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[求助] ESD layer问题

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发表于 2015-4-4 20:59:40 | 显示全部楼层 |阅读模式

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新手在看以前别人做的ESD版图器件(电路设计上是普通器件)时看到了几个layer。 RPO和ESDIMP
RPO加上去之后在电路后仿能仿出高阻么?
ESDIMP 不知道什么作用?(增加该区域的浓度?)
ESD器件的识别层是什么?

如果想用加了这些layer的器件作电源地的电容会有什么影响?

菜鸟学习学习...


[img]file:///C:\Users\Chaobo.Zhou\AppData\Roaming\Tencent\Users\2231466587\QQ\WinTemp\RichOle\PQZHE3L$4C79[F%7UPCNSZF.png[/img]
发表于 2015-4-7 11:38:46 | 显示全部楼层
都是为了提高esd性能的, 对电容的影响只能pdk仿真才能知道

不加rpo,esdimp的iopad,只能抗2Kv HBM
加了,可以抗4K hbm,

具体机制baidu吧
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 楼主| 发表于 2015-4-8 15:51:26 | 显示全部楼层
回复 2# icfbicfb


   了解,谢谢!
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发表于 2015-4-8 15:57:14 | 显示全部楼层
小富人啊!!!!
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发表于 2022-3-7 17:20:13 | 显示全部楼层
好,值得学习,!!
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发表于 2022-3-8 13:15:43 | 显示全部楼层
RPO是电阻识别层吧 - -? 盲猜ESDIMP是适用于ESD器件的注入
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发表于 2022-3-9 14:22:31 | 显示全部楼层
一般在DIFF上加RPO 是增加该处的阻抗,目的是让所有esd同时开启。防止有人抢跑,差不多是这个意思。有些严谨的工艺会要求你加上这个R model
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发表于 2022-3-17 18:12:02 | 显示全部楼层
RPO加上去之后在电路后仿能仿出高阻么?
A: 看model有没有定义一层

ESDIMP 不知道什么作用?(增加该区域的浓度?)
A: 针对LDD 器件,LDD是浅掺杂,尖角电场比较集中,且离gate比较近,容易受gate末端电场影响,理论上LDD尖角耐ESD放电能力比较差,如果这种device用在I/O端,容易造成ESD损失,加ESDimplant提高Drain的击穿电压,可以在LDD尖角发生击穿之前先从Drain击穿导走从而保护drain和gate的击穿,只是其中一种ESD implant的加法

ESD器件的识别层是什么?
A:用来DRC/LVS等验证识别这是ESD
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