maximum P+ DIFFUSION to nearest N+ pick-up spacing is 20um

wilmer · 发表于 2015-3-25 17:32:36

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使用的是UMC 0.18um工艺，DRC出现这个问题，求救各路大神该如何解决这个问题？

terry8876 · 发表于 2015-3-25 17:45:06

P+扩散区到相邻最近的N+环的最大距离是20 um。（即不能超过20 um）
你找到错误的地方，把它们拉近一点不就行了。
这和那种衬底到器件有一个最大间距的DRC要求是一样的，即器件的衬底接触不能离器件太远，太远就会报错。

wilmer · 发表于 2015-3-25 18:39:22

回复 2# terry8876
感谢你的回复，我能不能再晶体管周围画guard-ring解决这个问题呢？

maomao198477 · 发表于 2015-3-25 19:10:40

可以的！！

wilmer · 发表于 2015-3-27 15:35:33

回复 4# maomao198477
您好！我试了但是不行，我发现这个工艺由原理图镜像到版图，所生成的晶体管并没有存在衬底部分，属性部分又无法设置其显示（其他版本是可以设置显示和隐藏的），您知道该如何解决吗？

wilmer · 发表于 2015-3-27 15:39:54

回复 2# terry8876

您好！我试了但是不行，我发现这个工艺由原理图镜像到版图，所生成的晶体管并没有存在衬底部分，属性部分又无法设置其显示（其他版本是可以设置显示和隐藏的），您知道该如何解决吗？

maomao198477 · 发表于 2015-3-27 16:04:19

不明觉厉

wilmer · 发表于 2015-3-27 16:12:29

回复 7# maomao198477
请问您知道该如何解决吗？谢谢

maomao198477 · 发表于 2015-3-27 16:18:03

没有就自己不能画上去么？还是我来帮你画上去

wilmer · 发表于 2015-3-27 16:31:18

回复 9# maomao198477
额，我就是给pmos画上N-tap之后还是报错，nmos画上P-tap就没错，就不知道是哪里错了...

[求助] maximum P+ DIFFUSION to nearest N+ pick-up spacing is 20um