DC-DC中功率管和芯片是一个怎样的关系

coldplay · 发表于 2015-1-26 21:52:53

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DC-DC中功率管和芯片是一个怎样的关系
功率管是外置的，那么芯片要达到怎样的要求才能够有效驱动功率管

大神们有相关文献么

naoz · 发表于 2015-1-26 22:09:08

Driver要驱动POWER MOS的Cgg，通常会有turn on速度的要求，不然efficiency会降低

coldplay · 发表于 2015-1-27 09:44:20

回复 2# naoz

从这个表格中可以读出什么信息，Cload=3300pf是那个电容

coldplay · 发表于 2015-1-27 09:47:16

回复 2# naoz

谢谢你的解答，还有一部分表格

kwankwaner · 发表于 2015-1-28 13:55:28

回复 1# coldplay

一个是驱动问题，还有一个是交叠问题

coldplay · 发表于 2015-1-29 08:21:22

回复 5# kwankwaner

对于驱动功率管的功耗优化这方面有什么资料可以推荐吗

kwankwaner · 发表于 2015-1-29 21:31:29

回复 6# coldplay

可以在论坛搜搜

dushikuaibao · 发表于 2015-1-29 22:04:42

这是在讨论什么，不是很懂。

GodofSun · 发表于 2015-1-30 10:22:36

3L的图是driver中TG和BG的驱动能力，在Cload为所要求的值时，上升和下降时间所要达到的指标；
4L的图是driver电路的逻辑控制部分，保证TG和BG之间有dead time，防止TG和BG同时导通。
实际驱动MOSFET时，不同规格的MOSFET有不同的Ciss，如果drvier的驱动能力不足，MOSFET开启和关断的动作会很慢。

coldplay · 发表于 2015-2-2 12:21:44

回复 9# GodofSun

谢谢你，有关于这方面比较好的资料推荐吗
还有一个问题麻烦你：为什么高端管选用导通电阻小的管子，而低端管选用导通电阻大的管子。（输入电压小于20v）

有正向设计的功耗优化方法吗

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