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查看: 10906|回复: 9

[求助] 晶体三极管的Ice-Vbe曲线

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发表于 2014-12-4 09:53:42 | 显示全部楼层 |阅读模式
20资产
为什么书里从来没有讨论过晶体三极管的Ice-Vbe曲线呢?感觉也很重要啊

附加两个问题:
1.那些曾经被封为BIble的模拟设计书比如Allen,Razavi, Gray的书过时了吗
2.看论坛里很多人说gm/vb什么的设计思想指的是什么

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以前没入门的时候也有你这样的疑问。Ic与Vbe的关系是非线性的指数函数,很不好分析,不像Ic与Ib是简单的线性关系,当你研究多了以后就知道了,前人走过验证过并最终选择的捷径不会是差的。当然,带隙基准源的分析设计还是要用到Vbe和Ic的关系的。
发表于 2014-12-4 09:53:43 | 显示全部楼层
以前没入门的时候也有你这样的疑问。Ic与Vbe的关系是非线性的指数函数,很不好分析,不像Ic与Ib是简单的线性关系,当你研究多了以后就知道了,前人走过验证过并最终选择的捷径不会是差的。当然,带隙基准源的分析设计还是要用到Vbe和Ic的关系的。
发表于 2014-12-4 15:27:22 | 显示全部楼层
三极管实质上是流控电流源。MOS管是压控电流源。。。
那几本书不过时。
发表于 2014-12-4 19:39:44 | 显示全部楼层
bjt的性能,明显的不如mos,一般只用在BGR中,而且正在被diode,亚阈值的mos代替。所以研究的就少了。就T16工艺而言,bjt的ft只有100MHz左右,beta为0.8左右(t0.18为70左右);除了作为BGR提供偏置,没有别的用途了。
发表于 2014-12-5 09:36:19 | 显示全部楼层
I=Is*exp(VBE/KT),不就是指数关系吗?
 楼主| 发表于 2014-12-8 00:08:27 | 显示全部楼层
回复 3# sea11038


   我试着在Cadence里做过仿真,电路图就是一个三极管npn18(用的是smic18的库)以及Vbe,Vce两个电压源结果如图,两个图说的是一个事:Ic-Vbe(Uce不同),第一个图里面的红曲线是Ib-Ube
snapshot2.png
   我想要知道这个是因为我们在上一门叫 通信电子线路 的课,书中不加解释的使用了IC-VBE,老师还特凶,不给解释,个人感觉他也不知道^
如果有朋友想多思考思考的话,不妨不关注IC设计而只关注器件本身来看这个问题,非常感谢
比如说为什么曲线中为什么有极点,为什么电流倒转
snapshot3.png
发表于 2017-5-19 16:26:43 | 显示全部楼层
楼主解决了没?
发表于 2023-9-6 15:24:03 | 显示全部楼层


No12 发表于 2014-12-8 00:08
回复 3# sea11038


因为在vce保持不变,vbe增加的过程中,三极管的工作区发生了变化,在电流开始降低之前,是工作在线性区,也就是正向有源区,要求发射结正偏,集电结反偏,ic与vbe呈现一个指数关系,但是当vb>ve的时候,集电极就不是反偏了,器件不再工作在正向有源区,所以电流会减小。  浅薄见解,thanks.
发表于 2023-9-6 15:32:36 | 显示全部楼层
在gray中文版第四版 1.3.5节,第23页,图1-16就是所说的ICE-VBE曲线,只不过纵轴取了ln,这个图在各本微电子器件相关的书中都有给出过。
 楼主| 发表于 2023-10-16 21:56:45 | 显示全部楼层


晴冷天吻雪 发表于 2023-9-6 15:32
在gray中文版第四版 1.3.5节,第23页,图1-16就是所说的ICE-VBE曲线,只不过纵轴取了ln,这个图在各本微电 ...


谢谢,快10年了,居然还有关注。这感觉好奇妙哈哈哈
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