手算MOS管尺寸问题

jerry_zjnb · 发表于 2012-2-19 22:08:03

回复 9# 天牛不唱歌

这两篇paper最近没时间看，等看过了还请指点一下，先谢过！

frankobvip · 发表于 2012-7-11 11:16:25

回复 9# 天牛不唱歌

3q

feynmancgz · 发表于 2012-7-11 11:26:53

回复 10# xiaoli055

Paul Jespers是新鲁汶的，it's Louvain， not Leuven

bbbenjamin · 发表于 2012-7-11 11:35:08

手算定一下量级还是可行的
经验丰富的话，上去就直接口算了

weidianwj · 发表于 2012-7-11 18:10:45

电流本来就做不准的，你用萨之唐方程去算肯定和真正的仿真软件的算法差很多，但是手算是必须的，小信号模型也是必须要做的，你好好看看自己的u0Cox算的是不是有问题，0.35工艺大约NNOS一百多，PMOS几十，好好算算。沟道调制效应不严重的话不会出现数量级上的差别的，对于手算来讲这种精度就够了。

bbbenjamin · 发表于 2012-7-11 19:27:46

我的35工艺u0*Cox大概是460和230
手算之后出来的电路指标都符合的比较好，不需要怎么调了

mm0355v.zip (54.29 KB, 下载次数: 39 )

HSPICE MODEL ，仅供参考

wangdali163 · 发表于 2013-7-29 15:50:49

学习手算中，学习了

wuqingcui · 发表于 2014-11-5 16:56:48

在学手算

Johnson2011 · 发表于 2014-11-6 10:40:33

随着工艺尺寸不断的缩小，各种短沟道效应越来越显著，平方率特性已不再适用，不能再同过平方率公式来进行设计，所以采用gm/id的方法，借助Cadence仿真来确定器件的尺寸，具体步骤如下：
（1）根据带宽、功耗、压摆率来决定gm、Id，得到gm/Id。
（2）选择L。根据速度和增益、输出阻抗的折中关系，选择合适的沟长。
（3）根据gm/Id与Id/(w/l)的一一对应的关系，可以得到电流密度Iden。
（4） W=Id/Iden。
短沟道效应主要有以下几个方面，阈值电压的变化、垂直电场引起迁移率退化、速度饱和、热载流子效应、漏源电压引起的输出阻抗的变化等，这些效应使得传统的设计方法不能满足设计要求，存在较大偏差，所以采用了gm/Id设计方法。

Johnson2011 · 发表于 2014-11-6 10:43:13

任何手算都是为设计迭代提供一初始值，手算的结果不可能一次就完成收敛。因此，第一次手算的值是否十分精确意义不大，但是没有手算，无法对电路深入的了解。在第一次确定初始值后，仍然需要仿真来完成迭代。即在初始条件下开始全部参数的仿真，逐步迭代，最后通过折衷尽量的满足全部的参数。
因此，不要纠结是否精确。

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