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查看: 6144|回复: 12

[求助] gm计算和仿真

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发表于 2014-9-25 16:04:35 | 显示全部楼层 |阅读模式

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四个管子跑DC,sub 均和source连接无体效应。
根据列表中的参数按照公式gm=2Id/(Vgs-Vth)
得到的结果和仿真列出的差好多。这是怎么解释。
比如最后一组,安公式计算 2*5u/(0.498-0.466)=312
列表给出的gm=91.25u
xx.jpg

另外有什么好的方法得到比较不同工艺器件的gm值吗。。
发表于 2014-9-25 17:04:42 | 显示全部楼层
hand calculation 是簡化的公式
有很多參數沒考慮進去
要以simulation 結果為主
发表于 2014-9-25 17:13:58 | 显示全部楼层
再多看看拉扎维的书,自己再多调调就有感觉了,这就是insight
发表于 2014-9-25 17:39:31 | 显示全部楼层
关键是vdsat和vgs-vth差别过大所致,如果你用2*Id/vdsat,可能差距就没有那么大了。
发表于 2014-9-25 18:23:51 | 显示全部楼层




    还要考虑背栅跨导和沟道调制。差别就出来了。
 楼主| 发表于 2014-9-26 10:00:56 | 显示全部楼层
回复 2# corelli


    手动是简化,但是这算出来的差别也太大了啊。
 楼主| 发表于 2014-9-26 10:06:10 | 显示全部楼层
回复 5# hszgl


    器件仿真我用的都是 sub和source相连的,基本应该可以排除背栅效应的影响,沟道调制效应会有,但是用仿真给出的vgs 和vth以及Id计算出来的gm和仿真给出的gm相差也忒大吧。。。
    另外请教一下,各位得到电路中某个器件的跨导是通过什么手段,是手动简单计算,还是看仿真DC状态列表啊???
 楼主| 发表于 2014-9-26 10:10:49 | 显示全部楼层


还要考虑背栅跨导和沟道调制。差别就出来了。
hszgl 发表于 2014-9-25 18:23




   器件均为sub和source连接,基本消除背栅效应,够到调制效应会有影响,但是通过列表给出的vgs和vth以及Id算出的gm,和仿真给出的gm,差别也太大了,
   另外请教一下,通常查看电路里看某个器件的跨导是手动估算还是查看仿真静态点DC 列表啊还是有其他的方式。。。
发表于 2014-9-26 10:13:32 | 显示全部楼层


回复  corelli


    手动是简化,但是这算出来的差别也太大了啊。
languang1200 发表于 2014-9-26 10:00




   用Vdsat差不多,如果这还是短沟道的,考虑速度饱和就能对上了
发表于 2014-9-26 10:33:24 | 显示全部楼层


关键是vdsat和vgs-vth差别过大所致,如果你用2*Id/vdsat,可能差距就没有那么大了。
liuycto 发表于 2014-9-25 17:39



还有,Vgs-Vth小于70mV的时候,管子进入弱反型区。按平方率算gm已经不再适用了。
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