PMOS做开关用，NWELL浮空会有什么问题吗？

freecore · 发表于 2014-9-14 11:12:50

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工艺是p-sub的，PMOS做在NWELL里。现在想用PMOS做一个开关，关断的时候，要能够双向关断，即体二极管不能导通，那么我如果简单的把NWELL浮空，这样会有问题吗？

math123 · 发表于 2014-9-14 19:28:05

这样nwell电压等于S D中电压高的那个电压，不能保持开关关断

freecore · 发表于 2014-9-14 20:09:57

这样nwell电压等于S D中电压高的那个电压，不能保持开关关断
math123 发表于 2014-9-14 19:28

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NWELL等于S/D中电压高的那个，为什么不能保持开关关断呢？
只要GATE是高电平，没理由电会从D漏到S，或者从S漏到D啊？

math123 · 发表于 2014-9-14 20:35:08

回复 3# freecore

我想错了

，速度问题吧，开通状态下高电平点要对衬底进行充放电，高精度应用会损失电压。

bellona · 发表于 2014-9-14 22:04:31

当然不能浮空，这样很容易引起栓锁

freecore · 发表于 2014-9-15 09:57:32

回复 5# bellona

为什么会引起闩锁？请详述

kwankwaner · 发表于 2014-9-15 10:51:29

回复 1# freecore

可以的

freecore · 发表于 2014-9-15 11:00:40

回复 freecore

可以的
kwankwaner 发表于 2014-9-15 10:51

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大侠这样用过？

kopzinc · 发表于 2014-9-15 11:10:30

这样用应该是可以的，当时的想法中只考虑到会有体效应对于阈值电压有一定影响，其余求大牛指点。

semico_ljj · 发表于 2014-9-15 11:21:11

回复 1# freecore

只要Nwell耐压足够

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