衬偏效应对折叠共源共栅放大器直流增益的影响

OPAMPS

回复 6# 小蝌蚪


   多谢回复，我使用的工艺师P衬N阱工艺，所有NMOS都只能在衬底上座。

kxjxxfei

有衬偏之后管子不在饱和区，增益自然下降

OPAMPS

回复 8# icdane


   多谢回复另外我想请教一下，同一个管子gds和ron的关系。我一直以为这两个参数是互为倒数的关系，但是我在做瞬态仿真看管子的工作状态时，这两个参数的乘积并不是1，而且会随着直流工作点的变化而变化。

我又查了一下资料，之前我的理解有错误。
gds是管子小信号输出阻抗的倒数；ron是管子大信号导通电阻。ro=1/gds，我之前把ro和ron两个参数搞混了。

OPAMPS

回复 9# wkfr

多谢回复，已经检查了工作点的问题，是有些管子的工作状态不太对。

OPAMPS

回复 10# kuohsi

多谢回复

OPAMPS

回复 12# kxjxxfei


   多谢回复

icdane

回复 13# OPAMPS

bingo, you can not mix the large signal parameter and small signal parameter, the later is linear model, usually is not the real case, only trust the transient results.

OPAMPS

回复 17# icdane


   多谢您的回复。