衬偏效应对折叠共源共栅放大器直流增益的影响

OPAMPS · 发表于 2014-6-19 11:56:18

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我在仿真一个PMOS输入对管的折叠共源共栅结构运放的直流增益时，发现NMOS共栅管体电位的接法会显著影响运放的增益（相差十倍）。
但是按照我的推论，运放的增益等于输入管的跨导gm乘以输出阻抗Rout，输入管的跨导不会变化，而输出阻抗Rout按照拉扎维（西交翻译版）书上71页的推导也不会有很大的变化，Rout=[1+(gm2+gmb2)*ro2]*ro1+ro2。衬偏效应会影响MOS本身的跨导，我看了管子的工作状态，在有衬偏效应时gm+gmb，与没有衬偏效应是的gm基本相等。按照我上面的考虑，应该对直流增益不会有很大的影响。
我的问题：
1.我上面的推导做了很多的简化，是不是有什么重要的因素我没考虑到，才造成推论和仿真结果不一致？
2.Cadence仿真中看管子的工作状态时，gds和ron这两个参数什么关系？
先感谢各位的关注！

fuyibin · 发表于 2014-6-19 13:55:17

结论很不合理啊，应该基本没有影响才对
检查dc operating point是否正确？
opamp 是open loop simulation 还是close loop simulation？

semico_ljj · 发表于 2014-6-19 14:06:58

本帖最后由 semico_ljj 于 2014-6-19 14:12 编辑

基本没有影响。<=10%

OPAMPS · 发表于 2014-6-19 14:30:02

回复 2# fuyibin

仿真是闭环仿真，我再检查一下直流工作点是否正确多谢回复

OPAMPS · 发表于 2014-6-19 14:31:13

回复 3# semico_ljj

多谢回复如果应该没什么影响的话，有可能是我的工作点设置有问题，我再检查一下

小蝌蚪 · 发表于 2014-6-19 17:18:48

如果MN4管子的Vds很大，有可能导致sub有漏电，增益会减小很多。
接成自阱会有所改善吧

icdane · 发表于 2014-6-20 05:40:04

your cascode is in linear...

icdane · 发表于 2014-6-20 05:40:52

check gds

wkfr · 发表于 2014-6-20 08:10:00

影响主要是由于Vth变化吧因为 VBS 不再是0了这样的话你的上面的NMOS的 VGS－Vth 就变化比较大直流偏置点不一样了是有可能增益变化很大的
建议LZ检查下直流偏置点

kuohsi · 发表于 2014-6-20 08:47:17

wkfr正解

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