表面漏电

杨学硕 · 发表于 2014-5-26 14:37:03

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如何去评估一个工艺的表面漏电情况. 具体看工艺文件中的哪个参数呢?

chudong · 发表于 2014-5-27 22:20:26

不知道LZ说的"表面漏电"是什么机制?

杨学硕 · 发表于 2014-6-4 16:08:33

回复 2# chudong

是指栅氧化层的隧穿效应导致的漏电。理论上这种漏电只在短沟的工艺中（65nm以下）需要评估。可是老师仍然让我去评估，我用.35的工艺。所以不太清楚去看哪些参数。

freecore · 发表于 2014-6-5 17:09:52

漏电不看电流看什么？
不过0.35的工艺栅氧应该测不出漏电吧，除非做一个巨大无比的gate。

杨学硕 · 发表于 2014-6-10 09:12:05

回复 4# freecore

我的意思是

去评估工艺的时候，若想评估一下表面漏电，是看工艺文件里的哪个参数。

bill66656 · 发表于 2014-6-13 14:46:22

本帖最后由 bill66656 于 2014-6-19 12:06 编辑

0.35的工艺多半没写那些参数。你说的工艺文件理解为model card是否既贴切也好用？
起码中芯国际的gate电流参数在0.18中没有，从0.13开始有了，也就说明在提0.13um device参数的时候开始测到可觉察的漏电。
用这个model给一个较大的管子面积和想要的电压偏置仿一下直流工作点，漏电马上就出来了。65nm工艺一般在1nA/um2左右。

gravediggaz · 发表于 2014-7-4 22:42:48

0.35um工艺节点在一些特别工艺中也可能存在GOX漏电的问题，比如trench gate工艺的纵向器件，trench顶部易出现GOX过刻的问题，导致GOX漏电严重。通常看IGSS的可靠性评价以及其他关于GOX退化的评价。

杨学硕 · 发表于 2014-7-16 11:50:51

回复 7# gravediggaz

亲，谢谢你。

杨学硕 · 发表于 2014-7-16 11:51:29

回复 6# bill66656

谢谢亲

kjlin007 · 发表于 2014-12-6 16:54:01

學習學習

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