TSMC 0.35um cmos工艺中的pnp是纵向的还是横向的，集电极可以不接地吗？

Thin_king · 发表于 2014-5-4 11:53:18

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本帖最后由 Thin_king 于 2014-5-4 19:03 编辑

TSMC 0.35um cmos工艺中的pnp是纵向的还是横向的，集电极可以不接地吗？

Thin_king · 发表于 2014-5-4 18:17:32

啦啦啦啦

峰情万种 · 发表于 2014-5-5 01:01:40

回复 1# Thin_king
应该是纵向的，如果是n阱工艺的话，只能做寄生的pnp管，并且衬底作为集电极，衬底是接地的。。

Thin_king · 发表于 2014-5-5 08:46:27

回复 3# 峰情万种

N阱工艺不能做横向pnp吗？

hszgl · 发表于 2014-5-5 15:05:43

没有埋层就不行。

sunshuanghao · 发表于 2014-5-5 16:57:05

一般N阱COMS工艺是p型衬底衬底默认接GND! 若要接其他电位需要增加埋层,具体要看工艺有些工艺没有!

Thin_king · 发表于 2014-5-6 16:31:49

谢谢你们！

semico_ljj · 发表于 2014-5-6 19:41:40

纵向。。。

[讨论] TSMC 0.35um cmos工艺中的pnp是纵向的还是横向的，集电极可以不接地吗？