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查看: 2870|回复: 7

[求助] 工艺缩小的情况下,为什么非CORE内部的管子尺寸没有缩小很多?

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发表于 2014-3-31 15:37:24 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如题,比如55nm工艺的3.3V管子与110nm工艺下的3.3V管子的最小L并没有跟1.2V管子一样缩小幅度那么大。这是为什么呢?
发表于 2014-3-31 17:37:04 | 显示全部楼层
缩了就扛不住3.3V了
发表于 2014-4-1 09:03:30 | 显示全部楼层
耐压∝Tox∝minimum L
就算到了55nm,40nm,能耐3.3V电压的管子最小沟道长度也还在300nm附近
 楼主| 发表于 2014-4-2 15:20:59 | 显示全部楼层
回复 3# victor0o0


   那为什么core内部的管子L缩小了那么多还是可以扛得住1.2V的电压呢?
 楼主| 发表于 2014-4-3 11:49:53 | 显示全部楼层
回复 2# kboost


   四楼。。。
发表于 2014-4-3 12:06:35 | 显示全部楼层
是不是本来就能抗得住那么多,只是110n余毒更大,个人观点!
发表于 2014-4-3 14:20:37 | 显示全部楼层



core device是做halo implant的, IO device并不做 pocket
所以IO device的punch through voltage还是出不多的
 楼主| 发表于 2014-4-17 11:28:06 | 显示全部楼层
回复 7# fuyibin


   ..小的愚钝还是不是很明白,是不是core的管子的implant方式跟io device不一样  所以core内部管子即使尺寸缩小了也还是可以承受较大的电压?既然这样为什么不把io device的implant方式弄得跟core device一样呢?
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